Osa numero :
APTM120U10DAG
Valmistaja :
Microsemi Corporation
Kuvaus :
MOSFET N-CH 1200V 116A SP6
tekniikka :
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) :
1200V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C :
160A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
120 mOhm @ 58A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 20mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
1100nC @ 10V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds :
28900pF @ 25V
Tehon hajautus (max) :
3290W (Tc)
Käyttölämpötila :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi :
Chassis Mount
Toimittajalaitteen paketti :
SP6