Kuvaus :
MOSFET P-CH 85V 50A TO-268
tekniikka :
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) :
85V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C :
50A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
55 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
150nC @ 10V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds :
4200pF @ 25V
Tehon hajautus (max) :
300W (Tc)
Käyttölämpötila :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi :
Surface Mount
Toimittajalaitteen paketti :
TO-268
Paketti / asia :
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA