BYG23MHM3_A/H Hinnoittelu (USD) [591495kpl varastossa]
- 1 pcs$0.06253
- 10,800 pcs$0.05438
- Osa numero:
- BYG23MHM3_A/H
- Valmistaja:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Yksityiskohtainen kuvaus:
- DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC. Rectifiers 1.5A,1000V,75nS AVAL AEC-Q101 Qualified
- Valmistajan vakio läpimenoaika:
- Varastossa
- Kestoaika:
- Yksi vuosi
- Chip From:
- Hongkong
- RoHS:
- Maksutapa:
-
- Lähetyksen tapa:
- Perheluokat:
- KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Diodit - Tasasuuntaajat - Tasot, Transistorit - FETit, MOSFETit - Arrays, Transistorit - IGBT - Arrays, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - ariat, esij, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - levyt, Transistorit - ohjelmoitava Unijunction, Diodit - vaihtelevat kapasitanssi (varikapsit, var and Diodit - Zener - Single ...
- Kilpailuetu:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BYG23MHM3_A/H electronic components. BYG23MHM3_A/H can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BYG23MHM3_A/H, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BYG23MHM3_A/H Tuoteominaisuudet
Osa numero :
BYG23MHM3_A/H
Valmistaja :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Kuvaus :
DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC
Sarja :
Automotive, AEC-Q101
Osan tila :
Active
Diodin tyyppi :
Avalanche
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) :
1000V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) :
1.5A
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If :
1.7V @ 1A
Nopeus :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) :
75ns
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr :
5µA @ 1000V
Kapasitanssi @ Vr, F :
-
Asennustyyppi :
Surface Mount
Paketti / asia :
DO-214AC, SMA
Toimittajalaitteen paketti :
DO-214AC (SMA)
Käyttölämpötila - liitos :
-55°C ~ 150°C
Uusimmat uutiset
Saatat myös olla kiinnostunut
-
BAV20W-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 150V 250MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200V 625mA 1A IFSM
-
1N4148W-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 500mA 4ns
-
SD103AW-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 350MA 40V SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 5uA 40Volt 15A IFSM AUTO
-
SD101AW-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 400MW 60V SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 30mA 60Volt 2A IFSM
-
SD103BW-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 350MA 30V SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 5uA 30Volt 15A IFSM
-
SD101BW-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 400MW 50V SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 30mA 50Volt 2A IFSM
Kuumat osat
- CN646 BK
- IRD3CH53DB6
- VS-20MQ100NPBF
- 1N4002GPEHE3/91
- RS1PBHM3/85A
- VS-30WQ03FNPBF
- SK36/TR13
- CD214A-B130LLF
- VS-50WQ06FNPBF
- CDBA320L-G
- VS-80EPF12PBF
- 1N4551A
- C2D05120E
- RB520S-30FTE61
- MBRB735-E3/45
- VS-20ETF04STRRPBF
- 1N1616A
- APT15D30KG
- SDP06S60
- RGP20JHE3/73
- R6100625XXYZ
- R6100230XXYZ
- UG1002-T
- STTH5R06G
- MURA240T3
- VS-31DQ05TR
- NUR460/L02,112
- MUR1510H
- CTLSH1-50M832DS BK
- SF34-TP
- RL251M-TP
- R5000-TP
- FR1007-AP
- STPS30170DJF-TR
- ESH3C-E3/9AT
- RB053L-30TE25
- RU 1CV
- ES3B-E3/9AT
- IMBD4148-HE3-08
- LS4154GS18