Microsemi Corporation - 1N3611

KEY Part #: K6440887

Yksityiskohtainen kuvaus:: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL. Rectifiers D MET 1A STD 600V

Perheluokat:: KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Tiristorit - SCR: t, Transistorit - FETit, MOSFETit - RF, Transistorit - IGBT - Arrays, Diodit - vaihtelevat kapasitanssi (varikapsit, var, Diodit - Zener - Arrays, Transistorit - FETit, MOSFETit - Arrays, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF and Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - levyt ...

Kilpailuetu:: We specialize in Microsemi Corporation 1N3611 electronic components. 1N3611 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N3611, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Osa numero : 1N3611

Valmistaja : Microsemi Corporation

Kuvaus : DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Sarja : -

Osan tila : Active

Diodin tyyppi : Standard

Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) : 200V

Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) : 1A

Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If : 1.1V @ 1A

Nopeus : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Käänteinen palautumisaika (trr) : -

Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr : 1µA @ 200V

Kapasitanssi @ Vr, F : -

Asennustyyppi : Through Hole

Paketti / asia : A, Axial

Toimittajalaitteen paketti : -

Käyttölämpötila - liitos : -65°C ~ 175°C

Saatat myös olla kiinnostunut

RURD420S9A_T

ON Semiconductor

DIODE GEN PURP 200V 4A TO252.
VS-20ETF10PBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 1KV 20A TO220FP.
UHB10FT-E3/4W

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 300V 10A TO263AB.
BAT43 A0G

Taiwan Semiconductor Corporation

DIODE SCHOTTKY 30V 200MA DO35.
FR207TA

SMC Diode Solutions

DIODE GEN PURP 1KV 2A DO15.
MBRB4030G

ON Semiconductor

DIODE SCHOTTKY 30V 40A D2PAK. Schottky Diodes & Rectifiers 40A 30V

Kuumat osat