Jos sijaintiasi ei ole luettelossa, valitse yksi seuraavista:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Jos sijaintiasi ei ole luettelossa, valitse yksi seuraavista:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Koti
  2. Tuotteet
  3. Diskreetti puolijohdetuotteet
  4. Diodit - Tasasuuntaajat - Yksittäiset
  5. JANTX1N5809US

Microsemi Corporation - JANTX1N5809US

KEY Part #: K6431138

JANTX1N5809US Hinnoittelu (USD) [9042kpl varastossa]

  • 1 pcs$5.38349
  • 100 pcs$5.35671
Osa numero:
JANTX1N5809US
Valmistaja:
Microsemi Corporation
Yksityiskohtainen kuvaus:
DIODE GEN PURP 100V 3A B-MELF. Rectifiers Rectifier
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Tiristorit - DIAC, SIDAC, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - levyt, Tiristorit - SCR: t, Tehonohjaimen moduulit, Diodit - Zener - Single, Transistorit - IGBT - Arrays, Transistorit - JFET and Diodit - Tasasuuntaajat - Tasot ...
Kilpailuetu:
We specialize in Microsemi Corporation JANTX1N5809US electronic components. JANTX1N5809US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JANTX1N5809US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JANTX1N5809US Tuoteominaisuudet

Osa numero : JANTX1N5809US
Valmistaja : Microsemi Corporation
Kuvaus : DIODE GEN PURP 100V 3A B-MELF
Sarja : Military, MIL-PRF-19500/477
Osan tila : Active
Diodin tyyppi : Standard
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) : 100V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) : 3A
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If : 875mV @ 4A
Nopeus : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) : 30ns
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr : 5µA @ 100V
Kapasitanssi @ Vr, F : 60pF @ 10V, 1MHz
Asennustyyppi : Surface Mount
Paketti / asia : SQ-MELF, B
Toimittajalaitteen paketti : B, SQ-MELF
Käyttölämpötila - liitos : -65°C ~ 175°C

Uusimmat uutiset

Microsemi Adaptec® HBA 1100 SAS/SATA Host Bus Adapters
Saatat myös olla kiinnostunut
  • SS1FN6HM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 1A DO219AB. Schottky Diodes & Rectifiers 1A,60V,SMFSkty Rect AEC-Q101 Qualified

  • AS3PJHM3_A/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE AVALANCHE 600V 2.1A TO277A. Rectifiers 3A,600V, SMPC,STD, Avalanche SM

  • AU2PJHM3_A/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE AVALANCHE 600V 1.6A TO277A. Rectifiers 2A,600V, SMPC,FER, Avalanche SM

  • V15P10-M3/H

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 100V 15A TO277A. Schottky Diodes & Rectifiers 100V 15A Single Die SMPC (TO-277A)

  • AU3PD-M3/87A

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE AVALANCHE 200V 1.7A TO277A. Rectifiers 3A,200V,FER, Avalanche SM

  • V8P6-M3/87A

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 4.2A TO277A. Schottky Diodes & Rectifiers 8A, 60V,TRENCH SKY RECT.

Kuumat osat