Osa numero :
RN1910FE(T5L,F,T)
Valmistaja :
Toshiba Semiconductor and Storage
Kuvaus :
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Transistorin tyyppi :
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Nykyinen - keräilijä (Ic) (max) :
100mA
Jännite - keräilijän jakajan jakauma (max) :
50V
Vastus - Base (R1) :
4.7 kOhms
Vastus - Emitter Base (R2) :
-
DC-virran voimakkuus (hFE) (min) @ Ic, Vce :
120 @ 1mA, 5V
Vce-kylläisyys (Max) @ Ib, Ic :
300mV @ 250µA, 5mA
Nykyinen - Keräilijän katkaisu (max) :
100nA (ICBO)
Taajuus - siirtymä :
250MHz
Asennustyyppi :
Surface Mount
Paketti / asia :
SOT-563, SOT-666
Toimittajalaitteen paketti :
ES6