Jos sijaintiasi ei ole luettelossa, valitse yksi seuraavista:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Jos sijaintiasi ei ole luettelossa, valitse yksi seuraavista:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Koti
  2. Tuotteet
  3. Diskreetti puolijohdetuotteet
  4. Diodit - Tasasuuntaajat - Yksittäiset
  5. JANTXV1N5806

Microsemi Corporation - JANTXV1N5806

KEY Part #: K6433650

JANTXV1N5806 Hinnoittelu (USD) [6290kpl varastossa]

  • 1 pcs$6.55167
  • 139 pcs$5.96654
Osa numero:
JANTXV1N5806
Valmistaja:
Microsemi Corporation
Yksityiskohtainen kuvaus:
DIODE GEN PURP 150V 1A AXIAL. ESD Suppressors / TVS Diodes D MET 2.5A SFST 150V HRV 2FFTV
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Diodit - RF, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF, Diodit - Tasasuuntaajat - Yksittäiset, Tiristorit - SCR-moduulit, Transistorit - IGBT - Arrays, Diodit - Zener - Arrays, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - ariat, esij and Transistorit - FETit, MOSFETit - Arrays ...
Kilpailuetu:
We specialize in Microsemi Corporation JANTXV1N5806 electronic components. JANTXV1N5806 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JANTXV1N5806, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JANTXV1N5806 Tuoteominaisuudet

Osa numero : JANTXV1N5806
Valmistaja : Microsemi Corporation
Kuvaus : DIODE GEN PURP 150V 1A AXIAL
Sarja : Military, MIL-PRF-19500/477
Osan tila : Active
Diodin tyyppi : Standard
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) : 150V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) : 1A
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If : 875mV @ 1A
Nopeus : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) : 25ns
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr : 1µA @ 150V
Kapasitanssi @ Vr, F : 25pF @ 10V, 1MHz
Asennustyyppi : Through Hole
Paketti / asia : A, Axial
Toimittajalaitteen paketti : -
Käyttölämpötila - liitos : -65°C ~ 175°C

Uusimmat uutiset

Microsemi Adaptec® HBA 1100 SAS/SATA Host Bus Adapters
Saatat myös olla kiinnostunut
  • VS-1N3624

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 700V 12A DO203AA. Rectifiers 1000 Volt 16 Amp 400 Amp IFSM

  • V2F6-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    2A60VSMFTRENCH SKY RECT..

  • SS1F4-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO219AB. Schottky Diodes & Rectifiers 1A,40V,SMF SCHOTTKY RECT

  • V2FM10HM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    2A100VSMFTRENCH SKY RECT..

  • SS1FL4-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO-219AB. Schottky Diodes & Rectifiers If 1A Vrrm 40V DO-219AB Ifsm 40A

  • SS1FL3HM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO-219AB. Schottky Diodes & Rectifiers If 1A Vrrm 30V AEC-Q101 Qualified

Kuumat osat