Osa numero :
NP80N04PUG-E1B-AY
Valmistaja :
Renesas Electronics America
Kuvaus :
MOSFET N-CH 40V 80A TO-263
tekniikka :
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) :
40V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C :
80A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.5 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
135nC @ 10V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds :
7350pF @ 25V
Tehon hajautus (max) :
1.8W (Ta), 115W (Tc)
Käyttölämpötila :
175°C (TJ)
Asennustyyppi :
Surface Mount
Toimittajalaitteen paketti :
TO-263
Paketti / asia :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB