Taiwan Semiconductor Corporation - ES1F R3G

KEY Part #: K6445401

ES1F R3G Hinnoittelu (USD) [1039935kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.03557

Osa numero:
ES1F R3G
Valmistaja:
Taiwan Semiconductor Corporation
Yksityiskohtainen kuvaus:
DIODE GEN PURP 300V 1A DO214AC. Rectifiers 1A, 300V, SUPER FAST SM RECTIFIER
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Tiristorit - SCR: t, Tiristorit - DIAC, SIDAC, Diodit - Tasasuuntaajat - Tasot, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF, Transistorit - ohjelmoitava Unijunction, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - yksittäinen, Diodit - Tasasuuntaajat - Yksittäiset and Transistorit - JFET ...
Kilpailuetu:
We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation ES1F R3G electronic components. ES1F R3G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ES1F R3G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ES1F R3G Tuoteominaisuudet

Osa numero : ES1F R3G
Valmistaja : Taiwan Semiconductor Corporation
Kuvaus : DIODE GEN PURP 300V 1A DO214AC
Sarja : -
Osan tila : Active
Diodin tyyppi : Standard
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) : 300V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) : 1A
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If : 1.3V @ 1A
Nopeus : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) : 35ns
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr : 5µA @ 300V
Kapasitanssi @ Vr, F : 18pF @ 4V, 1MHz
Asennustyyppi : Surface Mount
Paketti / asia : DO-214AC, SMA
Toimittajalaitteen paketti : DO-214AC (SMA)
Käyttölämpötila - liitos : -55°C ~ 150°C

Saatat myös olla kiinnostunut
  • C2D05120E

    Cree/Wolfspeed

    DIODE SCHOTTKY 1.2KV 17.5A TO252.

  • VS-20ETF04FPPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 20A TO220FP.

  • IDB23E60ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 41A TO263-3.

  • IDB12E120ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 1.2KV 28A TO263-3.

  • VS-80EPS08PBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 80A TO247AC.

  • VS-80EPF12PBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.2KV 80A TO247AC.