Vishay Siliconix - SI4090DY-T1-GE3

KEY Part #: K6419790

SI4090DY-T1-GE3 Hinnoittelu (USD) [132616kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.27891
  • 2,500 pcs$0.26190

Osa numero:
SI4090DY-T1-GE3
Valmistaja:
Vishay Siliconix
Yksityiskohtainen kuvaus:
MOSFET N-CH 100V 19.7A 8SOIC.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF, Transistorit - IGBT - Yksittäiset, Transistorit - ohjelmoitava Unijunction, Transistorit - FETit, MOSFETit - RF, Tehonohjaimen moduulit, Diodit - Tasasuuntaajat - Tasot, Transistorit - FETit, MOSFETit - Arrays and Tiristorit - SCR-moduulit ...
Kilpailuetu:
We specialize in Vishay Siliconix SI4090DY-T1-GE3 electronic components. SI4090DY-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI4090DY-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI4090DY-T1-GE3 Tuoteominaisuudet

Osa numero : SI4090DY-T1-GE3
Valmistaja : Vishay Siliconix
Kuvaus : MOSFET N-CH 100V 19.7A 8SOIC
Sarja : TrenchFET®
Osan tila : Active
FET-tyyppi : N-Channel
tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 100V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 19.7A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 69nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 2410pF @ 50V
FET-ominaisuus : -
Tehon hajautus (max) : 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Käyttölämpötila : -55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi : Surface Mount
Toimittajalaitteen paketti : 8-SO
Paketti / asia : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Saatat myös olla kiinnostunut
  • 2N7000

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92.

  • AUIRFR3806TRL

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 43A DPAK.

  • AUIRFR5505TRL

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 55V 18A DPAK.

  • TK60S06K3L(T6L1,NQ

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 60V 60A DPAK-3.

  • TK65S04K3L(T6L1,NQ

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 40V 65A DPAK-3.

  • AUIRLR3410TR

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 100V 17A DPAK.