NRVBM120LT3G Hinnoittelu (USD) [674757kpl varastossa]
- 1 pcs$0.05578
- 12,000 pcs$0.05550
- Osa numero:
- NRVBM120LT3G
- Valmistaja:
- ON Semiconductor
- Yksityiskohtainen kuvaus:
- DIODE SCHOTTKY 20V 1A POWERMITE. Schottky Diodes & Rectifiers SURFACE MOUNT PWRMITE
- Valmistajan vakio läpimenoaika:
- Varastossa
- Kestoaika:
- Yksi vuosi
- Chip From:
- Hongkong
- RoHS:
- Maksutapa:
-
- Lähetyksen tapa:
- Perheluokat:
- KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Diodit - Tasasuuntaajat - Tasot, Diodit - Zener - Single, Transistorit - ohjelmoitava Unijunction, Transistorit - IGBT - moduulit, Diodit - Tasasuuntaajat - Yksittäiset, Transistorit - erityistarkoitus, Transistorit - FETit, MOSFETit - Single and Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - levyt ...
- Kilpailuetu:
- We specialize in ON Semiconductor NRVBM120LT3G electronic components. NRVBM120LT3G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NRVBM120LT3G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NRVBM120LT3G Tuoteominaisuudet
Osa numero :
NRVBM120LT3G
Valmistaja :
ON Semiconductor
Kuvaus :
DIODE SCHOTTKY 20V 1A POWERMITE
Sarja :
POWERMITE®
Osan tila :
Active
Diodin tyyppi :
Schottky
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) :
20V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) :
1A
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If :
650mV @ 3A
Nopeus :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) :
-
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr :
100µA @ 10V
Kapasitanssi @ Vr, F :
-
Asennustyyppi :
Surface Mount
Paketti / asia :
DO-216AA
Toimittajalaitteen paketti :
Powermite
Käyttölämpötila - liitos :
-55°C ~ 125°C
Uusimmat uutiset
Saatat myös olla kiinnostunut
-
-
QH12BZ600
Power Integrations
DIODE GEN PURP 600V 12A TO263AB. Diodes - General Purpose, Power, Switching Super-Low Qrr. 600V, 12A, Rectifier
-
QH03BZ600
Power Integrations
DIODE GEN PURP 600V 3A TO263AB. Diodes - General Purpose, Power, Switching Super-Low Qrr. 600V, 3A, Rectifier
-
VS-SD1100C12C
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1.2KV 1400A B-43. Rectifiers 1200 Volt 1400 Amp
-
-
SBAS116LT1G
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching SS SWCH DIO 75V T
Kuumat osat
- IDL10G65C5XUMA1
- IDK03G65C5XTMA1
- JANTXV1N1190R
- VS-150SQ030
- 1N6304R
- RGP10K-M3/54
- RK 14
- VS-80SQ030TR
- S4250TS
- CD1005-B0140R
- SUF15G-E3/54
- SS3P6-E3/85A
- CDBP0130R-G
- BY229B-400-E3/81
- FGP50D-E3/73
- S204100
- ES3A-E3/51T
- FFPF06UP20STU
- VS-90SQ035TR
- R2040
- 8ETH03
- 80EPS12
- 300HF40P
- S3G-13
- FR603-T
- HFA25PB60
- VS-95SQ015
- SF12M-TP
- CR3-060GPP BK
- APD245VRTR-G1
- MUR140-TP
- HER204-TP
- FR154-TP
- 1N4944-TP
- 1A4-AP
- GIB1404HE3/81
- CMR1U-02 BK
- RX 10ZV
- SE10PB-M3/85A
- SE07PD-M3/85A