DST1045S Hinnoittelu (USD) [293225kpl varastossa]
- 1 pcs$0.12614
- 5,000 pcs$0.12013
- 10,000 pcs$0.11568
- 25,000 pcs$0.11123
- Osa numero:
- DST1045S
- Valmistaja:
- Littelfuse Inc.
- Yksityiskohtainen kuvaus:
- DIODE SCHOTTKY 10A 45V TO-277B. Schottky Diodes & Rectifiers 45V 10A
- Valmistajan vakio läpimenoaika:
- Varastossa
- Kestoaika:
- Yksi vuosi
- Chip From:
- Hongkong
- RoHS:
- Maksutapa:
-
- Lähetyksen tapa:
- Perheluokat:
- KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Diodit - Zener - Arrays, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - yksittäinen, Transistorit - IGBT - Yksittäiset, Transistorit - FETit, MOSFETit - RF, Diodit - Tasasuuntaajat - Tasot, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - levyt, Tiristorit - SCR-moduulit and Diodit - vaihtelevat kapasitanssi (varikapsit, var ...
- Kilpailuetu:
- We specialize in Littelfuse Inc. DST1045S electronic components. DST1045S can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DST1045S, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DST1045S Tuoteominaisuudet
Osa numero :
DST1045S
Valmistaja :
Littelfuse Inc.
Kuvaus :
DIODE SCHOTTKY 10A 45V TO-277B
Sarja :
-
Osan tila :
Active
Diodin tyyppi :
Schottky
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) :
45V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) :
10A
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If :
570mV @ 10A
Nopeus :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) :
-
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr :
800µA @ 45V
Kapasitanssi @ Vr, F :
639pF @ 5V, 1MHz
Asennustyyppi :
Surface Mount
Paketti / asia :
TO-277, 3-PowerDFN
Toimittajalaitteen paketti :
TO-277B
Käyttölämpötila - liitos :
-55°C ~ 150°C
Uusimmat uutiset
Saatat myös olla kiinnostunut
-
MBRD6100CT-TP
Micro Commercial Co
6A100VSCHOTTKYDPAK PACKAGE. Schottky Diodes & Rectifiers 6A SCHOTTKY RECTIFIER
-
RHRD660S9A
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 600V 6A TO252-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching 6A 600V HyperFast Diode
-
BYM10-800-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB. Rectifiers 800 Volt 1.0 Amp Glass Passivated
-
BYM10-1000-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB. Rectifiers 1000 Volt 1.0 Amp Glass Passivated
-
BYM10-600-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB. Rectifiers 600 Volt 1.0 Amp Glass Passivated
-
Kuumat osat
- S1J-TP
- S9147D
- SF10DG-B
- RGP10G-6038M3/73
- 1N4005-N-0-3-AP
- R7004203XXUA
- VS-1EFH02W-M3-18
- 1N3297R
- SS5P9HM3/86A
- UES2604
- EGP10AHM3/73
- EGP10A
- S4240F
- R9G20609CSOO
- 1N3909R
- 1N5622GP-E3/54
- SR502-T-F
- BYD13GGP-E3/73
- DGS17-03CS
- VF20100SG-E3/45
- SD103BW-13-F
- FESE16DT-E3/45
- JANTX1N6623
- MR756G
- RS2K-13
- 181NQ045R
- 50WQ10FN
- VS-11DQ04TR
- BAS21TA
- SS36HE3_A/I
- MBRS1100T3H
- BAT43-L0 A0G
- IDW30E60AFKSA1
- STPSC10H065G-TR
- RM 11CV
- NRVS3GB
- GP10JE-E3/73
- GL41J-E3/97
- BY206GP-E3/54
- LS101C-GS18