MUR2100EG Hinnoittelu (USD) [190859kpl varastossa]
- 1 pcs$0.19379
- 10 pcs$0.15701
- 100 pcs$0.10698
- 500 pcs$0.08023
- 1,000 pcs$0.06018
- Osa numero:
- MUR2100EG
- Valmistaja:
- ON Semiconductor
- Yksityiskohtainen kuvaus:
- DIODE GEN PURP 1KV 2A AXIAL. Rectifiers 1000V 2A UltraFast
- Valmistajan vakio läpimenoaika:
- Varastossa
- Kestoaika:
- Yksi vuosi
- Chip From:
- Hongkong
- RoHS:
- Maksutapa:
-
- Lähetyksen tapa:
- Perheluokat:
- KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF, Transistorit - erityistarkoitus, Transistorit - ohjelmoitava Unijunction, Transistorit - IGBT - moduulit, Diodit - Tasasuuntaajat - Yksittäiset, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - levyt and Diodit - vaihtelevat kapasitanssi (varikapsit, var ...
- Kilpailuetu:
- We specialize in ON Semiconductor MUR2100EG electronic components. MUR2100EG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MUR2100EG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
MUR2100EG Tuoteominaisuudet
Osa numero :
MUR2100EG
Valmistaja :
ON Semiconductor
Kuvaus :
DIODE GEN PURP 1KV 2A AXIAL
Sarja :
SWITCHMODE™
Osan tila :
Active
Diodin tyyppi :
Standard
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) :
1000V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) :
2A
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If :
2.2V @ 2A
Nopeus :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) :
100ns
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr :
10µA @ 1000V
Kapasitanssi @ Vr, F :
-
Asennustyyppi :
Through Hole
Paketti / asia :
DO-204AL, DO-41, Axial
Toimittajalaitteen paketti :
Axial
Käyttölämpötila - liitos :
-65°C ~ 175°C
Uusimmat uutiset
Saatat myös olla kiinnostunut
-
RJU6052SDPD-E0#J2
Renesas Electronics America
DIODE GEN PURP 600V 20A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 600V/10A/25ns Trr/TO-252
-
RJU4352SDPD-E0#J2
Renesas Electronics America
DIODE GEN PURP 430V 20A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 430V/20A/23ns Trr/TO-252
-
RJU3052SDPD-E0#J2
Renesas Electronics America
DIODE GEN PURP 360V 20A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 360V/20A/40ns Trr/TO-252
-
UD0506T-TL-H
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 600V 5A TPFA. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 5A 600V LOW VF
-
-
Kuumat osat
- MBR1645-10HE3/45
- D251K12BXPSA1
- JTXM19500/469-05
- UF1503S-B
- SB05-05C-M-TB-E
- LS412060
- FR204TA
- JANTX1N6661US
- RGP10K-M3/73
- GP10G-4004E-M3/73
- RU 3AM
- RF 1A
- SD24145
- JANTXV1N5802
- MBRB1050HE3/45
- HER604-TP
- SS1H10HE3/61T
- S5MHE3/57T
- ESH2PD-E3/84A
- SS8PH9HM3/87A
- SS2P3-E3/85A
- SS1H10HE3/5AT
- SS19-E3/5AT
- GP30KHE3/54
- GP20B-E3/54
- EGP20DHE3/73
- STPS1545R
- STTH3002G
- LSM345JE3
- ES2A-TP
- VS-HFA16TB120PBF
- VS-1N5819
- 241NQ045R
- 1N6630
- RL103-AP
- ER303-AP
- RO 2CV1
- RU 3AV1
- S10MC M6G
- ES3A M6G