IXYS - IXFH67N10

KEY Part #: K6415085

[12531kpl varastossa]


    Osa numero:
    IXFH67N10
    Valmistaja:
    IXYS
    Yksityiskohtainen kuvaus:
    MOSFET N-CH 100V 67A TO-247AD.
    Valmistajan vakio läpimenoaika:
    Varastossa
    Kestoaika:
    Yksi vuosi
    Chip From:
    Hongkong
    RoHS:
    Maksutapa:
    Lähetyksen tapa:
    Perheluokat:
    KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Tehonohjaimen moduulit, Transistorit - FETit, MOSFETit - RF, Diodit - sillan tasasuuntaajat, Tiristorit - DIAC, SIDAC, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single, Transistorit - ohjelmoitava Unijunction, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - yksittäinen and Diodit - RF ...
    Kilpailuetu:
    We specialize in IXYS IXFH67N10 electronic components. IXFH67N10 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFH67N10, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IXFH67N10 Tuoteominaisuudet

    Osa numero : IXFH67N10
    Valmistaja : IXYS
    Kuvaus : MOSFET N-CH 100V 67A TO-247AD
    Sarja : HiPerFET™
    Osan tila : Obsolete
    FET-tyyppi : N-Channel
    tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
    Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 100V
    Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 67A (Tc)
    Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 25 mOhm @ 33.5A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 4mA
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 260nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±20V
    Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 4500pF @ 25V
    FET-ominaisuus : -
    Tehon hajautus (max) : 300W (Tc)
    Käyttölämpötila : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Asennustyyppi : Through Hole
    Toimittajalaitteen paketti : TO-247AD (IXFH)
    Paketti / asia : TO-247-3

    Saatat myös olla kiinnostunut
    • NDF0610

      ON Semiconductor

      MOSFET P-CH 60V 180MA TO92.

    • ZVP4105A

      Diodes Incorporated

      MOSFET P-CH 50V 175MA TO92-3.

    • ZVP2120A

      Diodes Incorporated

      MOSFET P-CH 200V 0.12A TO92-3.

    • BSS100

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 100V 220MA TO92.

    • BSS110

      ON Semiconductor

      MOSFET P-CH 50V 170MA TO92.

    • 94-4007

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 30V 35A DPAK.