IXYS - IXTH64N10L2

KEY Part #: K6395154

IXTH64N10L2 Hinnoittelu (USD) [16758kpl varastossa]

  • 1 pcs$2.71854
  • 30 pcs$2.70502

Osa numero:
IXTH64N10L2
Valmistaja:
IXYS
Yksityiskohtainen kuvaus:
MOSFET N-CH 100V 64A TO-247.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Tiristorit - DIAC, SIDAC, Diodit - Tasasuuntaajat - Yksittäiset, Transistorit - IGBT - Arrays, Transistorit - ohjelmoitava Unijunction, Tiristorit - SCR-moduulit, Transistorit - JFET, Diodit - Tasasuuntaajat - Tasot and Transistorit - erityistarkoitus ...
Kilpailuetu:
We specialize in IXYS IXTH64N10L2 electronic components. IXTH64N10L2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTH64N10L2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTH64N10L2 Tuoteominaisuudet

Osa numero : IXTH64N10L2
Valmistaja : IXYS
Kuvaus : MOSFET N-CH 100V 64A TO-247
Sarja : -
Osan tila : Active
FET-tyyppi : N-Channel
tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 100V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 64A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 32 mOhm @ 32A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 100nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 3620pF @ 25V
FET-ominaisuus : -
Tehon hajautus (max) : 357W (Tc)
Käyttölämpötila : -55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi : Through Hole
Toimittajalaitteen paketti : TO-247
Paketti / asia : TO-247-3