Vishay Siliconix - SI2347DS-T1-GE3

KEY Part #: K6397872

SI2347DS-T1-GE3 Hinnoittelu (USD) [899243kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.04113
  • 3,000 pcs$0.03915

Osa numero:
SI2347DS-T1-GE3
Valmistaja:
Vishay Siliconix
Yksityiskohtainen kuvaus:
MOSFET P-CH 30V 5A SOT-23.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - levyt, Diodit - RF, Diodit - Tasasuuntaajat - Tasot, Transistorit - erityistarkoitus, Diodit - sillan tasasuuntaajat, Tiristorit - SCR-moduulit, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single and Tiristorit - TRIACit ...
Kilpailuetu:
We specialize in Vishay Siliconix SI2347DS-T1-GE3 electronic components. SI2347DS-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI2347DS-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI2347DS-T1-GE3 Tuoteominaisuudet

Osa numero : SI2347DS-T1-GE3
Valmistaja : Vishay Siliconix
Kuvaus : MOSFET P-CH 30V 5A SOT-23
Sarja : TrenchFET®
Osan tila : Active
FET-tyyppi : P-Channel
tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 30V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 5A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 42 mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 22nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 705pF @ 15V
FET-ominaisuus : -
Tehon hajautus (max) : 1.2W (Ta), 1.7W (Tc)
Käyttölämpötila : -55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi : Surface Mount
Toimittajalaitteen paketti : SOT-23-3
Paketti / asia : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Saatat myös olla kiinnostunut
  • IRLR024NPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 17A DPAK.

  • IRLR2908PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 80V 30A DPAK.

  • IXFY4N60P3

    IXYS

    MOSFET N-CH 600V 4A TO-252.

  • TK380A60Y,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220SIS.

  • TK72A12N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 120V 72A TO-220.

  • TK14A65W5,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 13.7A TO-220.