Osa numero :
DMG7401SFGQ-7
Valmistaja :
Diodes Incorporated
Kuvaus :
MOSFET P-CH 30V 9.8A PWRDI3333-8
tekniikka :
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) :
30V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C :
9.8A (Ta)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) :
4.5V, 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
11 mOhm @ 12A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
58nC @ 10V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds :
2987pF @ 15V
Tehon hajautus (max) :
940mW (Ta)
Käyttölämpötila :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi :
Surface Mount
Toimittajalaitteen paketti :
PowerDI3333-8
Paketti / asia :
8-PowerWDFN