EGF1CHE3_A/H Hinnoittelu (USD) [460696kpl varastossa]
- 1 pcs$0.08029
- Osa numero:
- EGF1CHE3_A/H
- Valmistaja:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Yksityiskohtainen kuvaus:
- DIODE GEN PURP 150V 1A DO214BA. Rectifiers 1A,150V,50NS AEC-Q101 Qualified
- Valmistajan vakio läpimenoaika:
- Varastossa
- Kestoaika:
- Yksi vuosi
- Chip From:
- Hongkong
- RoHS:
- Maksutapa:
-
- Lähetyksen tapa:
- Perheluokat:
- KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - yksittäinen, Diodit - sillan tasasuuntaajat, Diodit - vaihtelevat kapasitanssi (varikapsit, var, Transistorit - JFET, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - ariat, esij, Transistorit - ohjelmoitava Unijunction and Transistorit - IGBT - Yksittäiset ...
- Kilpailuetu:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division EGF1CHE3_A/H electronic components. EGF1CHE3_A/H can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EGF1CHE3_A/H, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
EGF1CHE3_A/H Tuoteominaisuudet
Osa numero :
EGF1CHE3_A/H
Valmistaja :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Kuvaus :
DIODE GEN PURP 150V 1A DO214BA
Sarja :
Automotive, AEC-Q101, Superectifier®
Osan tila :
Active
Diodin tyyppi :
Standard
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) :
150V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) :
1A
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If :
1V @ 1A
Nopeus :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) :
50ns
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr :
1µA @ 150V
Kapasitanssi @ Vr, F :
15pF @ 4V, 1MHz
Asennustyyppi :
Surface Mount
Paketti / asia :
DO-214BA
Toimittajalaitteen paketti :
DO-214BA (GF1)
Käyttölämpötila - liitos :
-65°C ~ 175°C
Uusimmat uutiset
Saatat myös olla kiinnostunut
-
SS14-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO214AC. Schottky Diodes & Rectifiers 1.0 Amp 40 Volt
-
ES2B-E3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA. Rectifiers 2.0 Amp 100 Volt
-
ES2FHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 300V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,300V,35ns, SMB F.EFF.SM DIODE
-
ES2FHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 300V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,300V,35ns, SMB F.EFF.SM DIODE
-
ES2CHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 150V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,100V,20ns SMB, UF Rect, SMD
-
ES2AHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,50V,20ns SMB, UF Rect, SMD
Kuumat osat
- CN646 BK
- IRD3CH53DB6
- VS-20MQ100NPBF
- 1N4002GPEHE3/91
- RS1PBHM3/85A
- VS-30WQ03FNPBF
- SK36/TR13
- CD214A-B130LLF
- VS-50WQ06FNPBF
- CDBA320L-G
- VS-80EPF12PBF
- 1N4551A
- C2D05120E
- RB520S-30FTE61
- MBRB735-E3/45
- VS-20ETF04STRRPBF
- 1N1616A
- APT15D30KG
- SDP06S60
- RGP20JHE3/73
- R6100625XXYZ
- R6100230XXYZ
- UG1002-T
- STTH5R06G
- MURA240T3
- VS-31DQ05TR
- NUR460/L02,112
- MUR1510H
- CTLSH1-50M832DS BK
- SF34-TP
- RL251M-TP
- R5000-TP
- FR1007-AP
- STPS30170DJF-TR
- ESH3C-E3/9AT
- RB053L-30TE25
- RU 1CV
- ES3B-E3/9AT
- IMBD4148-HE3-08
- LS4154GS18