Microsemi Corporation - JANTXV1N3766R

KEY Part #: K6442950

Yksityiskohtainen kuvaus:: DIODE GEN PURP 800V 35A DO203AB. Rectifiers Rectifier

Perheluokat:: KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - FETit, MOSFETit - RF, Tiristorit - SCR-moduulit, Tiristorit - TRIACit, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF, Tehonohjaimen moduulit, Diodit - Zener - Arrays, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - yksittäinen and Transistorit - IGBT - Arrays ...

Kilpailuetu:: We specialize in Microsemi Corporation JANTXV1N3766R electronic components. JANTXV1N3766R can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JANTXV1N3766R, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Osa numero : JANTXV1N3766R

Valmistaja : Microsemi Corporation

Kuvaus : DIODE GEN PURP 800V 35A DO203AB

Sarja : Military, MIL-PRF-19500/297

Osan tila : Active

Diodin tyyppi : Standard, Reverse Polarity

Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) : 800V

Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) : 35A

Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If : 1.4V @ 110A

Nopeus : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Käänteinen palautumisaika (trr) : -

Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr : 10µA @ 800V

Kapasitanssi @ Vr, F : -

Asennustyyppi : Chassis, Stud Mount

Paketti / asia : DO-203AB, DO-5, Stud

Toimittajalaitteen paketti : DO-5

Käyttölämpötila - liitos : -65°C ~ 175°C

Saatat myös olla kiinnostunut

VS-8EWS12STRLPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D-PAK.
VS-8EWS08STRRPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 800V 8A D-PAK.
VS-8EWS08STRPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 800V 8A D-PAK.
VS-8EWS08STRLPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 800V 8A D-PAK.
VS-8EWF12STRPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D-PAK.
VS-8EWF06STRPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 600V 8A D-PAK.

Kuumat osat