Infineon Technologies - IPP65R125C7XKSA1

KEY Part #: K6394018

IPP65R125C7XKSA1 Hinnoittelu (USD) [18969kpl varastossa]

  • 1 pcs$2.34452
  • 10 pcs$2.09156
  • 100 pcs$1.71498
  • 500 pcs$1.38870
  • 1,000 pcs$1.17120

Osa numero:
IPP65R125C7XKSA1
Valmistaja:
Infineon Technologies
Yksityiskohtainen kuvaus:
MOSFET N-CH 650V 18A TO220.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - levyt, Diodit - RF, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - ariat, esij, Tiristorit - TRIACit, Tehonohjaimen moduulit, Tiristorit - DIAC, SIDAC, Diodit - vaihtelevat kapasitanssi (varikapsit, var and Transistorit - FETit, MOSFETit - Single ...
Kilpailuetu:
We specialize in Infineon Technologies IPP65R125C7XKSA1 electronic components. IPP65R125C7XKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPP65R125C7XKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPP65R125C7XKSA1 Tuoteominaisuudet

Osa numero : IPP65R125C7XKSA1
Valmistaja : Infineon Technologies
Kuvaus : MOSFET N-CH 650V 18A TO220
Sarja : CoolMOS™ C7
Osan tila : Active
FET-tyyppi : N-Channel
tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 650V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 18A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 125 mOhm @ 8.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 440µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 35nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 1670pF @ 400V
FET-ominaisuus : -
Tehon hajautus (max) : 101W (Tc)
Käyttölämpötila : -55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi : Through Hole
Toimittajalaitteen paketti : PG-TO220-3
Paketti / asia : TO-220-3