Osa numero :
TK20V60W,LVQ
Valmistaja :
Toshiba Semiconductor and Storage
Kuvaus :
MOSFET N CH 600V 20A 5DFN
tekniikka :
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) :
600V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C :
20A (Ta)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
170 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.7V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
48nC @ 10V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds :
1680pF @ 300V
FET-ominaisuus :
Super Junction
Tehon hajautus (max) :
156W (Tc)
Käyttölämpötila :
150°C (TJ)
Asennustyyppi :
Surface Mount
Toimittajalaitteen paketti :
4-DFN-EP (8x8)
Paketti / asia :
4-VSFN Exposed Pad