Jos sijaintiasi ei ole luettelossa, valitse yksi seuraavista:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Jos sijaintiasi ei ole luettelossa, valitse yksi seuraavista:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Koti
  2. Tuotteet
  3. Diskreetti puolijohdetuotteet
  4. Diodit - Tasasuuntaajat - Yksittäiset
  5. 1N1200AR

GeneSiC Semiconductor - 1N1200AR

KEY Part #: K6425272

1N1200AR Hinnoittelu (USD) [22785kpl varastossa]

  • 1 pcs$1.80876
  • 200 pcs$0.92714
Osa numero:
1N1200AR
Valmistaja:
GeneSiC Semiconductor
Yksityiskohtainen kuvaus:
DIODE GEN PURP REV 100V 12A DO4. Rectifiers 100V 12A REV Leads Std. Recovery
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Diodit - RF, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - yksittäinen, Transistorit - FETit, MOSFETit - RF, Tehonohjaimen moduulit, Tiristorit - TRIACit, Transistorit - FETit, MOSFETit - Arrays and Transistorit - IGBT - moduulit ...
Kilpailuetu:
We specialize in GeneSiC Semiconductor 1N1200AR electronic components. 1N1200AR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N1200AR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N1200AR Tuoteominaisuudet

Osa numero : 1N1200AR
Valmistaja : GeneSiC Semiconductor
Kuvaus : DIODE GEN PURP REV 100V 12A DO4
Sarja : -
Osan tila : Active
Diodin tyyppi : Standard, Reverse Polarity
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) : 100V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) : 12A
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If : 1.1V @ 12A
Nopeus : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) : -
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr : 10µA @ 50V
Kapasitanssi @ Vr, F : -
Asennustyyppi : Chassis, Stud Mount
Paketti / asia : DO-203AA, DO-4, Stud
Toimittajalaitteen paketti : DO-4
Käyttölämpötila - liitos : -65°C ~ 200°C
Saatat myös olla kiinnostunut
  • RHRD660S9A-F085

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 600V 6A TO252-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching 6A 600V Hyperfast

  • BAS40E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SOT23-3. Schottky Diodes & Rectifiers 40V 0.12A

  • LXA04B600

    Power Integrations

    DIODE GEN PURP 600V 4A TO263AB. Rectifiers X-Series 600V 4A Low Qrr

  • LXA03D530-TL

    Power Integrations

    DIODE GEN PURP 530V 3A 8SO. Rectifiers 530V, 3A, Low Qrr PFC boost 75nC

  • LXA03D530

    Power Integrations

    DIODE GEN PURP 530V 3A 8SO. Rectifiers 530V 3A X-Series 3A 75nC 3.2A 0.34

  • SBAS40LT3G

    ON Semiconductor

    DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SOT23-3. Schottky Diodes & Rectifiers SS SOT23 SHKY DIO 40V TR

Kuumat osat