Valmistaja :
ON Semiconductor
Kuvaus :
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
Transistorin tyyppi :
NPN - Pre-Biased
Nykyinen - keräilijä (Ic) (max) :
100mA
Jännite - keräilijän jakajan jakauma (max) :
40V
Vastus - Base (R1) :
10 kOhms
Vastus - Emitter Base (R2) :
-
DC-virran voimakkuus (hFE) (min) @ Ic, Vce :
100 @ 1mA, 5V
Vce-kylläisyys (Max) @ Ib, Ic :
300mV @ 1mA, 10mA
Nykyinen - Keräilijän katkaisu (max) :
100nA (ICBO)
Taajuus - siirtymä :
250MHz
Asennustyyppi :
Surface Mount
Paketti / asia :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Toimittajalaitteen paketti :
SOT-23-3 (TO-236)