Jos sijaintiasi ei ole luettelossa, valitse yksi seuraavista:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Jos sijaintiasi ei ole luettelossa, valitse yksi seuraavista:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Koti
  2. Tuotteet
  3. Integroidut piirit (IC)
  4. Muisti
  5. TC58NYG2S0HBAI6

Toshiba Memory America, Inc. - TC58NYG2S0HBAI6

KEY Part #: K938373

TC58NYG2S0HBAI6 Hinnoittelu (USD) [20269kpl varastossa]

  • 1 pcs$1.88179
  • 10 pcs$1.70551
Osa numero:
TC58NYG2S0HBAI6
Valmistaja:
Toshiba Memory America, Inc.
Yksityiskohtainen kuvaus:
IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: PMIC - Power Over Ethernet (PoE) -ohjaimet, PMIC - Voltage Regulators - Lineaariset, PMIC - Valvojat, Liitäntä - CODECit, PMIC - PFC (tehokertoimen korjaus), Logic - Flip Flops, PMIC - Gate Drivers and Kello / ajoitus - sovelluskohtainen ...
Kilpailuetu:
We specialize in Toshiba Memory America, Inc. TC58NYG2S0HBAI6 electronic components. TC58NYG2S0HBAI6 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TC58NYG2S0HBAI6, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TC58NYG2S0HBAI6 Tuoteominaisuudet

Osa numero : TC58NYG2S0HBAI6
Valmistaja : Toshiba Memory America, Inc.
Kuvaus : IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA
Sarja : -
Osan tila : Active
Muistityyppi : Non-Volatile
Muistimuoto : FLASH
tekniikka : FLASH - NAND (SLC)
Muistin koko : 4Gb (512M x 8)
Kellotaajuus : -
Kirjoita työkierron aika - sana, sivu : 25ns
Kirjautumisaika : 25ns
Muistiliitäntä : Parallel
Jännite - syöttö : 1.7V ~ 1.95V
Käyttölämpötila : -40°C ~ 85°C (TA)
Asennustyyppi : Surface Mount
Paketti / asia : 67-VFBGA
Toimittajalaitteen paketti : 67-VFBGA (6.5x8)

Uusimmat uutiset

Toshiba Memory THGAF Managed NAND Flash Memories
Toshiba Memory FlashAir™ W-04 Wireless SD Cards
Toshiba Memory THGAM e-MMC™ NAND Flash Memory
Saatat myös olla kiinnostunut
  • MR25H10CDCR

    Everspin Technologies Inc.

    IC RAM 1M SPI 40MHZ 8DFN. NVRAM 1Mb 3.3V 128Kx8 Serial MRAM

  • MR25H10CDFR

    Everspin Technologies Inc.

    IC RAM 1M SPI 40MHZ 8DFN. NVRAM 1Mb 3.3V 128Kx8 Serial MRAM

  • W25M512JVFIQ

    Winbond Electronics

    IC FLASH 512M SPI 104MHZ 16SOIC. Multichip Packages spiFlash, 512M-bit, 4Kb Uniform Sector

  • IS61LP6436A-133TQLI-TR

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP. SRAM 2Mb 64Kx36 133Mhz Sync SRAM 3.3v

  • IS61LP6432A-133TQLI-TR

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP. SRAM 2Mb 64Kx32 133Mhz Sync SRAM 3.3v

  • IS61LF6436A-8.5TQLI-TR

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP. SRAM 2Mb 64Kx36 8.5ns Sync SRAM 3.3v

Kuumat osat