ESH3C-M3/9AT Hinnoittelu (USD) [374354kpl varastossa]
- 1 pcs$0.09880
- 7,000 pcs$0.08954
- Osa numero:
- ESH3C-M3/9AT
- Valmistaja:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Yksityiskohtainen kuvaus:
- DIODE GEN PURP 150V 3A DO214AB. Rectifiers 3A,150V,25NS,UF Rect, SMD
- Valmistajan vakio läpimenoaika:
- Varastossa
- Kestoaika:
- Yksi vuosi
- Chip From:
- Hongkong
- RoHS:
- Maksutapa:
-
- Lähetyksen tapa:
- Perheluokat:
- KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - FETit, MOSFETit - Single, Diodit - Zener - Single, Diodit - Tasasuuntaajat - Tasot, Transistorit - erityistarkoitus, Transistorit - FETit, MOSFETit - RF, Tiristorit - SCR: t, Transistorit - JFET and Tiristorit - SCR-moduulit ...
- Kilpailuetu:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division ESH3C-M3/9AT electronic components. ESH3C-M3/9AT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ESH3C-M3/9AT, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
ESH3C-M3/9AT Tuoteominaisuudet
Osa numero :
ESH3C-M3/9AT
Valmistaja :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Kuvaus :
DIODE GEN PURP 150V 3A DO214AB
Sarja :
-
Osan tila :
Active
Diodin tyyppi :
Standard
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) :
150V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) :
3A
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If :
900mV @ 3A
Nopeus :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) :
40ns
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr :
5µA @ 150V
Kapasitanssi @ Vr, F :
70pF @ 4V, 1MHz
Asennustyyppi :
Surface Mount
Paketti / asia :
DO-214AB, SMC
Toimittajalaitteen paketti :
DO-214AB (SMC)
Käyttölämpötila - liitos :
-55°C ~ 175°C
Uusimmat uutiset
Saatat myös olla kiinnostunut
-
VS-6EVL06-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURPOSE 600V SLIMDPAK. Rectifiers 600V 6A SlimDPAK FRED
-
VS-6EVH06-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURPOSE 600V SLIMDPAK. Rectifiers 600V 6A SlimDPAK FRED
-
-
USB260HM3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,600V,30NS,SMB UF Rectifier SMB
-
UH2CHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 150V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,150V,25ns, SMB Planar FER RECT, SMD
-
UH2BHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,100V,25ns, SMB Planar FER RECT, SMD
Kuumat osat
- D251N14BXPSA1
- SB350-B
- APD140VD-G1
- LL103C-7
- NSR10F40QNXT5G
- F1857D400
- GP10-4003E-M3/54
- CD0603-B0230
- VS-60CPF12PBF
- 1N3890A
- SSB43LHE3/52T
- ESH2PD-E3/84A
- RP 1HV1
- PMEG2005AEA/DG,115
- SB350S-E3/54
- 1N1205BR
- MR851RL
- EGP50AHE3/54
- 1N4247GPHE3/54
- BYD33JGP-E3/73
- BAS 3020B E6327
- SBL1640
- MUR450PFRLG
- D121K18BXPSA1
- FFPF05U60STTU
- 241NQ045R
- S20420
- 30WQ03FN
- VS-31DQ06
- CDLL1A50
- D170S25BS1XPSA1
- UH2C-M3/52T
- STPSC4H065DI
- RG 2V
- RFN2LAM4STR
- AS3BD-M3/I
- EGL34F-E3/83
- RF08L6STE25
- S3M M6G
- GP10A-E3/54