BAS32L,115 Hinnoittelu (USD) [3242767kpl varastossa]
- 1 pcs$0.01141
- 2,500 pcs$0.01091
- 5,000 pcs$0.00984
- 12,500 pcs$0.00855
- 25,000 pcs$0.00770
- 62,500 pcs$0.00684
- 125,000 pcs$0.00570
- Osa numero:
- BAS32L,115
- Valmistaja:
- Nexperia USA Inc.
- Yksityiskohtainen kuvaus:
- DIODE GEN PURP 75V 200MA LLDS. Diodes - General Purpose, Power, Switching SW 75V 200MA HS
- Valmistajan vakio läpimenoaika:
- Varastossa
- Kestoaika:
- Yksi vuosi
- Chip From:
- Hongkong
- RoHS:
- Maksutapa:
-
- Lähetyksen tapa:
- Perheluokat:
- KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Diodit - vaihtelevat kapasitanssi (varikapsit, var, Transistorit - IGBT - moduulit, Tiristorit - SCR-moduulit, Tehonohjaimen moduulit, Transistorit - erityistarkoitus, Transistorit - FETit, MOSFETit - RF, Diodit - sillan tasasuuntaajat and Transistorit - IGBT - Arrays ...
- Kilpailuetu:
- We specialize in Nexperia USA Inc. BAS32L,115 electronic components. BAS32L,115 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BAS32L,115, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BAS32L,115 Tuoteominaisuudet
Osa numero :
BAS32L,115
Valmistaja :
Nexperia USA Inc.
Kuvaus :
DIODE GEN PURP 75V 200MA LLDS
Sarja :
-
Osan tila :
Active
Diodin tyyppi :
Standard
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) :
75V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) :
200mA (DC)
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If :
1V @ 100mA
Nopeus :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Käänteinen palautumisaika (trr) :
4ns
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr :
5µA @ 75V
Kapasitanssi @ Vr, F :
2pF @ 0V, 1MHz
Asennustyyppi :
Surface Mount
Paketti / asia :
DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Toimittajalaitteen paketti :
LLDS; MiniMelf
Käyttölämpötila - liitos :
200°C (Max)
Uusimmat uutiset
Saatat myös olla kiinnostunut
-
-
SL03-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 30V 1.1A DO219AB. Schottky Diodes & Rectifiers 1.1A .395V
-
FESB16AT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 50V 16A TO263AB. Rectifiers 16 Amp 50 Volt 35ns
-
FESB8DTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB. Rectifiers 200 Volt 8.0A 35ns Single
-
BYWB29-100HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB. Rectifiers 100 Volt 8.0A 25ns Single Glass Pass
-
BYWB29-200HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB. Rectifiers 200 Volt 8.0A 25ns Single Glass Pass
Kuumat osat
- BAT46WJ/DG/B2,115
- D121K20BXPSA1
- SB530-A
- 1N4002-N-0-2-BP
- VS-20TQ035STRLPBF
- RY2A
- VS-HFA16TB120STRRP
- GKR26/14
- DSK10C
- 1N3901
- AS3PGHM3/86A
- BYS459-1500-E3/45
- US1BHE3/61T
- ESH3BHE3/57T
- GP10M-4007E-M3/73
- BYM07-50HE3/98
- MBRB10H60HE3/81
- GI810-E3/54
- FGP10B-E3/54
- BYS10-25HE3/TR3
- EGP50DHE3/73
- CDBA120-G
- FFPF04F150STU
- VS-8TQ080PBF
- SD101CWS-7
- B0540W-7
- 6A8
- 301U80
- B140S1F-7
- CCS15S30,L3QUF
- STPSC40065CWY
- HER104-TP
- 2A06-AP
- UGB8BTHE3/81
- S10CKHM3/I
- ES2FHE3_A/I
- MURS240-E3/5BT
- 1N6484HE3/96
- GP10-4005E-E3/73
- RS3B M6G