Vishay Siliconix - SIZ346DT-T1-GE3

KEY Part #: K6523027

SIZ346DT-T1-GE3 Hinnoittelu (USD) [316935kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.11670

Osa numero:
SIZ346DT-T1-GE3
Valmistaja:
Vishay Siliconix
Yksityiskohtainen kuvaus:
MOSFET 2N-CH 30V 17/30A 8POWER33.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - IGBT - Arrays, Transistorit - IGBT - moduulit, Diodit - sillan tasasuuntaajat, Transistorit - erityistarkoitus, Transistorit - IGBT - Yksittäiset, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - ariat, esij, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF and Transistorit - JFET ...
Kilpailuetu:
We specialize in Vishay Siliconix SIZ346DT-T1-GE3 electronic components. SIZ346DT-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIZ346DT-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIZ346DT-T1-GE3 Tuoteominaisuudet

Osa numero : SIZ346DT-T1-GE3
Valmistaja : Vishay Siliconix
Kuvaus : MOSFET 2N-CH 30V 17/30A 8POWER33
Sarja : PowerPAIR®, TrenchFET®
Osan tila : Active
FET-tyyppi : 2 N-Channel (Dual)
FET-ominaisuus : Standard
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 30V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 17A (Tc), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 28.5 mOhm @ 10A, 10V, 11.5 mOhm @ 14.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 250µA, 2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 5nC @ 4.5V, 9nC @ 4.5V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 325pF @ 15V, 650pF @ 15V
Teho - Max : 16W, 16.7W
Käyttölämpötila : -55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi : Surface Mount
Paketti / asia : 8-PowerWDFN
Toimittajalaitteen paketti : 8-Power33 (3x3)

Saatat myös olla kiinnostunut
  • IRF5810TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP.

  • FDY2000PZ

    ON Semiconductor

    MOSFET 2P-CH 20V 0.35A SOT-563F.

  • BSL308CH6327XTSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N/P-CH 30V 2.3A/2A 6TSOP.

  • ZXMN2AM832TA

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 2.9A 8MLP.

  • DMN2019UTS-13

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8.

  • DMG8822UTS-13

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 4.9A 8TSSOP.