Jos sijaintiasi ei ole luettelossa, valitse yksi seuraavista:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Jos sijaintiasi ei ole luettelossa, valitse yksi seuraavista:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Koti
  2. Tuotteet
  3. Diskreetti puolijohdetuotteet
  4. Diodit - Tasasuuntaajat - Yksittäiset
  5. GB05SLT12-252

GeneSiC Semiconductor - GB05SLT12-252

KEY Part #: K6455234

GB05SLT12-252 Hinnoittelu (USD) [26818kpl varastossa]

  • 1 pcs$1.90116
  • 5,025 pcs$1.89170
Osa numero:
GB05SLT12-252
Valmistaja:
GeneSiC Semiconductor
Yksityiskohtainen kuvaus:
DIODE SILICON 1.2KV 5A TO252. Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 1A SiC Schottky Rectifier
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF, Diodit - Tasasuuntaajat - Yksittäiset, Tiristorit - DIAC, SIDAC, Transistorit - JFET, Diodit - vaihtelevat kapasitanssi (varikapsit, var, Transistorit - erityistarkoitus, Tehonohjaimen moduulit and Diodit - Tasasuuntaajat - Tasot ...
Kilpailuetu:
We specialize in GeneSiC Semiconductor GB05SLT12-252 electronic components. GB05SLT12-252 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GB05SLT12-252, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GB05SLT12-252 Tuoteominaisuudet

Osa numero : GB05SLT12-252
Valmistaja : GeneSiC Semiconductor
Kuvaus : DIODE SILICON 1.2KV 5A TO252
Sarja : -
Osan tila : Not For New Designs
Diodin tyyppi : Silicon Carbide Schottky
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) : 1200V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) : 5A
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If : 1.8V @ 2A
Nopeus : No Recovery Time > 500mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) : 0ns
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr : 50µA @ 1200V
Kapasitanssi @ Vr, F : 260pF @ 1V, 1MHz
Asennustyyppi : Surface Mount
Paketti / asia : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Toimittajalaitteen paketti : TO-252
Käyttölämpötila - liitos : -55°C ~ 175°C
Saatat myös olla kiinnostunut
  • DB3X314K0L

    Panasonic Electronic Components

    DIODE SCHOTTKY 30V 30MA MINI3.

  • CMDD4448 BK

    Central Semiconductor Corp

    DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD323. Diodes - General Purpose, Power, Switching Switching Diode Sgl Switching Diode Sgl

  • BAT46WFILM

    STMicroelectronics

    DIODE SCHOTTKY 100V 150MA SOT323. Schottky Diodes & Rectifiers 150mA 100 Volt

  • MBRB40250TG

    ON Semiconductor

    DIODE SCHOTTKY 250V 40A D2PAK. Schottky Diodes & Rectifiers REC D2PAK 40A 250V SHOTTKY

  • VS-50WQ04FN-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 40V 5.5A DPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3

  • SD101CW-E3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 40V 30MA SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 1mA 40 Volt

Kuumat osat