Jos sijaintiasi ei ole luettelossa, valitse yksi seuraavista:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Jos sijaintiasi ei ole luettelossa, valitse yksi seuraavista:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Koti
  2. Tuotteet
  3. Diskreetti puolijohdetuotteet
  4. Diodit - Tasasuuntaajat - Tasot
  5. MURTA200120R

GeneSiC Semiconductor - MURTA200120R

KEY Part #: K6468687

MURTA200120R Hinnoittelu (USD) [893kpl varastossa]

  • 1 pcs$52.02314
  • 18 pcs$36.55488
Osa numero:
MURTA200120R
Valmistaja:
GeneSiC Semiconductor
Yksityiskohtainen kuvaus:
DIODE GEN 1.2KV 100A 3 TOWER. Rectifiers 1200V 200A Si Super Fast Recovery
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - ariat, esij, Diodit - vaihtelevat kapasitanssi (varikapsit, var, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - yksittäinen, Tiristorit - DIAC, SIDAC, Diodit - Tasasuuntaajat - Tasot, Diodit - RF, Diodit - sillan tasasuuntaajat and Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - levyt ...
Kilpailuetu:
We specialize in GeneSiC Semiconductor MURTA200120R electronic components. MURTA200120R can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MURTA200120R, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MURTA200120R Tuoteominaisuudet

Osa numero : MURTA200120R
Valmistaja : GeneSiC Semiconductor
Kuvaus : DIODE GEN 1.2KV 100A 3 TOWER
Sarja : -
Osan tila : Active
Diodin konfigurointi : 1 Pair Common Anode
Diodin tyyppi : Standard
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) : 1200V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) (diodia kohti) : 100A
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If : 2.6V @ 100A
Nopeus : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) : -
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr : 25µA @ 1200V
Käyttölämpötila - liitos : -55°C ~ 150°C
Asennustyyppi : Chassis Mount
Paketti / asia : Three Tower
Toimittajalaitteen paketti : Three Tower
Saatat myös olla kiinnostunut
  • RURD620CCS9A-F085P

    ON Semiconductor

    UFDR DPAK PN 6A 200V. Rectifiers UFDR DPAK PN 6A 200V

  • LQA10T150C

    Power Integrations

    DIODE CC 150V 5A DUAL TO-220AB. Rectifiers 150V, Dual, 5A Ultra-Low Qrr Rect

  • LQA12T300C

    Power Integrations

    DIODE ARRAY GP 300V 6A TO220AB. Diodes - General Purpose, Power, Switching Q-Series 300V 6A Dual Ultra-Low Qrr

  • LQA40T150C

    Power Integrations

    DIODE CC 150V 20A DUAL TO-220AB. Rectifiers 150V, Dual, 20A Ultra-Low Qrr Rect

  • LQA32T300C

    Power Integrations

    DIODE ARRAY SCHOTTKY 300V TO220. Rectifiers Q-Series 300V 16A Dual Ultra-Low Qrr

  • LXA08T600C

    Power Integrations

    DIODE ARRAY SCHOTTKY 600V TO220. Rectifiers X-Series 600V 4A Dual Low Qrr

Kuumat osat