Diodes Incorporated - DMN5L06DW-7

KEY Part #: K6524519

[4640kpl varastossa]


    Osa numero:
    DMN5L06DW-7
    Valmistaja:
    Diodes Incorporated
    Yksityiskohtainen kuvaus:
    MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT-363.
    Valmistajan vakio läpimenoaika:
    Varastossa
    Kestoaika:
    Yksi vuosi
    Chip From:
    Hongkong
    RoHS:
    Maksutapa:
    Lähetyksen tapa:
    Perheluokat:
    KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - erityistarkoitus, Diodit - Tasasuuntaajat - Yksittäiset, Diodit - vaihtelevat kapasitanssi (varikapsit, var, Diodit - Tasasuuntaajat - Tasot, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - levyt, Tiristorit - TRIACit, Tiristorit - DIAC, SIDAC and Transistorit - FETit, MOSFETit - Arrays ...
    Kilpailuetu:
    We specialize in Diodes Incorporated DMN5L06DW-7 electronic components. DMN5L06DW-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN5L06DW-7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    DMN5L06DW-7 Tuoteominaisuudet

    Osa numero : DMN5L06DW-7
    Valmistaja : Diodes Incorporated
    Kuvaus : MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT-363
    Sarja : -
    Osan tila : Obsolete
    FET-tyyppi : 2 N-Channel (Dual)
    FET-ominaisuus : Logic Level Gate
    Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 50V
    Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 280mA
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3 Ohm @ 200mA, 2.7V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 1.2V @ 250µA
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : -
    Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 50pF @ 25V
    Teho - Max : 200mW
    Käyttölämpötila : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Asennustyyppi : Surface Mount
    Paketti / asia : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    Toimittajalaitteen paketti : SOT-363