Taiwan Semiconductor Corporation - SFAS802G MNG

KEY Part #: K6428884

SFAS802G MNG Hinnoittelu (USD) [339459kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.10896

Osa numero:
SFAS802G MNG
Valmistaja:
Taiwan Semiconductor Corporation
Yksityiskohtainen kuvaus:
DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB. Rectifiers 35ns 8A 100V Sp Fst Recov Rectifier
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - FETit, MOSFETit - RF, Diodit - Tasasuuntaajat - Tasot, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF, Diodit - sillan tasasuuntaajat, Transistorit - ohjelmoitava Unijunction, Transistorit - IGBT - Arrays, Diodit - Zener - Single and Transistorit - IGBT - Yksittäiset ...
Kilpailuetu:
We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation SFAS802G MNG electronic components. SFAS802G MNG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SFAS802G MNG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SFAS802G MNG Tuoteominaisuudet

Osa numero : SFAS802G MNG
Valmistaja : Taiwan Semiconductor Corporation
Kuvaus : DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB
Sarja : -
Osan tila : Active
Diodin tyyppi : Standard
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) : 100V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) : 8A
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If : 950mV @ 8A
Nopeus : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) : 35ns
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr : 10µA @ 100V
Kapasitanssi @ Vr, F : 80pF @ 4V, 1MHz
Asennustyyppi : Surface Mount
Paketti / asia : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Toimittajalaitteen paketti : TO-263AB (D²PAK)
Käyttölämpötila - liitos : -55°C ~ 150°C

Saatat myös olla kiinnostunut
  • CDSV-19-G

    Comchip Technology

    DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD323. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100V 200mA 200mW

  • CDSV-21-G

    Comchip Technology

    DIODE GEN PURP 200V 200MA SOD323. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200V 200mA 200mW

  • S1AFK-M3/6A

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 1A DO221AC. Rectifiers 1A, 800V, SLIM SMA, STD GPP, SM RECT

  • VSSAF5L45-M3/6A

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 45V 3A DO221AC. Schottky Diodes & Rectifiers 5A, 45V, TMBS

  • VSSAF3N50-M3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 50V 2.7A DO221AC. Schottky Diodes & Rectifiers 3A, 50V,TRENCH SKY RECT.

  • VS-2EJH01HM3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 2A DO221AC. Rectifiers Hyperfst 2A 100V Fred Pt Rfr AEC-Q101