MBR1035G Hinnoittelu (USD) [118381kpl varastossa]
- 1 pcs$0.31244
- 10 pcs$0.27408
- 100 pcs$0.21013
- 500 pcs$0.16611
- 1,000 pcs$0.13289
- Osa numero:
- MBR1035G
- Valmistaja:
- ON Semiconductor
- Yksityiskohtainen kuvaus:
- DIODE SCHOTTKY 35V 10A TO220-2. Schottky Diodes & Rectifiers 10A 35V
- Valmistajan vakio läpimenoaika:
- Varastossa
- Kestoaika:
- Yksi vuosi
- Chip From:
- Hongkong
- RoHS:
- Maksutapa:
-
- Lähetyksen tapa:
- Perheluokat:
- KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - IGBT - Yksittäiset, Tiristorit - SCR-moduulit, Transistorit - ohjelmoitava Unijunction, Transistorit - IGBT - moduulit, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - yksittäinen, Transistorit - JFET, Tehonohjaimen moduulit and Transistorit - FETit, MOSFETit - RF ...
- Kilpailuetu:
- We specialize in ON Semiconductor MBR1035G electronic components. MBR1035G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MBR1035G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
MBR1035G Tuoteominaisuudet
Osa numero :
MBR1035G
Valmistaja :
ON Semiconductor
Kuvaus :
DIODE SCHOTTKY 35V 10A TO220-2
Sarja :
SWITCHMODE™
Osan tila :
Active
Diodin tyyppi :
Schottky
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) :
35V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) :
10A
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If :
840mV @ 20A
Nopeus :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) :
-
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr :
100µA @ 35V
Kapasitanssi @ Vr, F :
-
Asennustyyppi :
Through Hole
Paketti / asia :
TO-220-2
Toimittajalaitteen paketti :
TO-220-2
Käyttölämpötila - liitos :
-65°C ~ 175°C
Uusimmat uutiset
Saatat myös olla kiinnostunut
-
CDBDSC3650-G
Comchip Technology
DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 3A 650V
-
CDBDSC51200-G
Comchip Technology
DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 5A 1200V
-
VS-60APU02-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 60A TO247AC. Rectifiers 60A 200V Single Die 3 pins
-
VS-60APU06PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AC. Rectifiers 600 Volt 60 Amp
-
VS-60APH03-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 300V 60A TO247AC. Rectifiers 60A 300V Hyperfast 28ns FRED Pt
-
Kuumat osat
- MBRB10H50HE3/45
- MBRB16H35-E3/81
- GP10KE-M3/73
- 1N4005-N-0-2-BP
- 1N4003 BK
- IRD3CH31DB6
- SS310HE-TP
- CLL914 BK
- JANTX1N6761UR-1
- GP10-4003E-M3/54
- EGP10F-M3/54
- VS-30WQ06FNTRLPBF
- UH1B-E3/61T
- MBRF7H60HE3/45
- RGP15DHE3/54
- RB420D-TP
- VS-90SQ045TR
- DGP20HE3/54
- 1N5622GP-E3/73
- U1GWJ49(TE12L,F)
- STTH3R04
- 2A02-T
- STTH10R04G
- FFPF04U150STU
- VS-20L15TPBF
- MBR2515L
- MBR845RL
- B280-13
- 60CPF10
- 40EPS08
- MA3X72100L
- MA2J11600L
- DL4001
- IDD15E60BUMA1
- 2A01-TP
- IDW30E60AFKSA1
- RGP02-14E-E3/73
- HS5M M6G
- GL41DHE3/97
- SE15PD-M3/85A