Vishay Siliconix - IRF710PBF

KEY Part #: K6399896

IRF710PBF Hinnoittelu (USD) [96413kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.41810
  • 10 pcs$0.34567
  • 100 pcs$0.26665
  • 500 pcs$0.19751
  • 1,000 pcs$0.15801

Osa numero:
IRF710PBF
Valmistaja:
Vishay Siliconix
Yksityiskohtainen kuvaus:
MOSFET N-CH 400V 2A TO-220AB.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Diodit - RF, Diodit - Tasasuuntaajat - Tasot, Tiristorit - TRIACit, Transistorit - FETit, MOSFETit - Arrays, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - ariat, esij, Diodit - vaihtelevat kapasitanssi (varikapsit, var, Transistorit - erityistarkoitus and Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - yksittäinen ...
Kilpailuetu:
We specialize in Vishay Siliconix IRF710PBF electronic components. IRF710PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF710PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF710PBF Tuoteominaisuudet

Osa numero : IRF710PBF
Valmistaja : Vishay Siliconix
Kuvaus : MOSFET N-CH 400V 2A TO-220AB
Sarja : -
Osan tila : Active
FET-tyyppi : N-Channel
tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 400V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 2A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.6 Ohm @ 1.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 17nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 170pF @ 25V
FET-ominaisuus : -
Tehon hajautus (max) : 36W (Tc)
Käyttölämpötila : -55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi : Through Hole
Toimittajalaitteen paketti : TO-220AB
Paketti / asia : TO-220-3

Saatat myös olla kiinnostunut
  • TN2106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 300MA TO92-3.

  • VN0550N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 500V 50MA TO92-3.

  • DN2535N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 350V 0.12A TO92-3.

  • VP2206N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 60V 640MA TO92-3.

  • VN0106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3.

  • BTS282ZE3180AATMA2

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 49V 80A TO-220-7.