Infineon Technologies - IPB17N25S3100ATMA1

KEY Part #: K6419375

IPB17N25S3100ATMA1 Hinnoittelu (USD) [107881kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.34285
  • 1,000 pcs$0.32537

Osa numero:
IPB17N25S3100ATMA1
Valmistaja:
Infineon Technologies
Yksityiskohtainen kuvaus:
MOSFET N-CH TO263-3.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF, Tiristorit - DIAC, SIDAC, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - levyt, Tiristorit - SCR: t, Tehonohjaimen moduulit, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single, Diodit - sillan tasasuuntaajat and Diodit - vaihtelevat kapasitanssi (varikapsit, var ...
Kilpailuetu:
We specialize in Infineon Technologies IPB17N25S3100ATMA1 electronic components. IPB17N25S3100ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB17N25S3100ATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPB17N25S3100ATMA1 Tuoteominaisuudet

Osa numero : IPB17N25S3100ATMA1
Valmistaja : Infineon Technologies
Kuvaus : MOSFET N-CH TO263-3
Sarja : Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Osan tila : Active
FET-tyyppi : N-Channel
tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 250V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 17A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 100 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 54µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 19nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 1500pF @ 25V
FET-ominaisuus : -
Tehon hajautus (max) : 107W (Tc)
Käyttölämpötila : -55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi : Surface Mount
Toimittajalaitteen paketti : PG-TO263-3-2
Paketti / asia : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Saatat myös olla kiinnostunut