Valmistaja :
ON Semiconductor
Kuvaus :
DIODE GEN PURP 1KV 80A TO247
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) :
1000V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) :
80A
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If :
1.9V @ 80A
Nopeus :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) :
200ns
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr :
250µA @ 1000V
Asennustyyppi :
Through Hole
Paketti / asia :
TO-247-2
Toimittajalaitteen paketti :
TO-247-2
Käyttölämpötila - liitos :
-65°C ~ 175°C