Nexperia USA Inc. - PMPB20XNEAX

KEY Part #: K6421184

PMPB20XNEAX Hinnoittelu (USD) [382688kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.09665
  • 3,000 pcs$0.08429

Osa numero:
PMPB20XNEAX
Valmistaja:
Nexperia USA Inc.
Yksityiskohtainen kuvaus:
MOSFET N-CH 20V SOT1220.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Diodit - Tasasuuntaajat - Yksittäiset, Tiristorit - TRIACit, Diodit - sillan tasasuuntaajat, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - ariat, esij, Tehonohjaimen moduulit, Transistorit - IGBT - Arrays, Transistorit - JFET and Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF ...
Kilpailuetu:
We specialize in Nexperia USA Inc. PMPB20XNEAX electronic components. PMPB20XNEAX can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PMPB20XNEAX, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

PMPB20XNEAX Tuoteominaisuudet

Osa numero : PMPB20XNEAX
Valmistaja : Nexperia USA Inc.
Kuvaus : MOSFET N-CH 20V SOT1220
Sarja : Automotive, AEC-Q101
Osan tila : Active
FET-tyyppi : N-Channel
tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 20V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 7.5A (Ta)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 20 mOhm @ 7.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.25V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 15nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±12V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 930pF @ 10V
FET-ominaisuus : -
Tehon hajautus (max) : 460mW (Ta), 12.5W (Tc)
Käyttölämpötila : -55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi : Surface Mount
Toimittajalaitteen paketti : DFN2020MD-6
Paketti / asia : 6-UDFN Exposed Pad