Vishay Semiconductor Diodes Division - EGF1CHE3/5CA

KEY Part #: K6446840

[1628kpl varastossa]


    Osa numero:
    EGF1CHE3/5CA
    Valmistaja:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    Yksityiskohtainen kuvaus:
    DIODE GEN PURP 150V 1A DO214BA.
    Valmistajan vakio läpimenoaika:
    Varastossa
    Kestoaika:
    Yksi vuosi
    Chip From:
    Hongkong
    RoHS:
    Maksutapa:
    Lähetyksen tapa:
    Perheluokat:
    KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - FETit, MOSFETit - RF, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - ariat, esij, Tiristorit - DIAC, SIDAC, Diodit - Tasasuuntaajat - Tasot, Transistorit - erityistarkoitus, Diodit - Tasasuuntaajat - Yksittäiset, Transistorit - FETit, MOSFETit - Arrays and Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF ...
    Kilpailuetu:
    We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division EGF1CHE3/5CA electronic components. EGF1CHE3/5CA can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EGF1CHE3/5CA, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    EGF1CHE3/5CA Tuoteominaisuudet

    Osa numero : EGF1CHE3/5CA
    Valmistaja : Vishay Semiconductor Diodes Division
    Kuvaus : DIODE GEN PURP 150V 1A DO214BA
    Sarja : SUPERECTIFIER®
    Osan tila : Discontinued at Digi-Key
    Diodin tyyppi : Standard
    Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) : 150V
    Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) : 1A
    Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If : 1V @ 1A
    Nopeus : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Käänteinen palautumisaika (trr) : 50ns
    Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr : 5µA @ 150V
    Kapasitanssi @ Vr, F : 15pF @ 4V, 1MHz
    Asennustyyppi : Surface Mount
    Paketti / asia : DO-214BA
    Toimittajalaitteen paketti : DO-214BA (GF1)
    Käyttölämpötila - liitos : -65°C ~ 175°C

    Saatat myös olla kiinnostunut
    • SRP600J-E3/54

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 600V 6A P600.

    • GPP60G-E3/73

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 400V 6A P600.

    • GPP60B-E3/73

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 100V 6A P600.

    • BYM07-200HE3/83

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213.

    • SBLB1030HE3/81

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 30V 10A TO263AB.

    • SBLB10L25HE3/81

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 25V 10A TO263AB.