Ampleon USA Inc. - BLS7G2729LS-350P,1

KEY Part #: K6465887

BLS7G2729LS-350P,1 Hinnoittelu (USD) [122kpl varastossa]

1 pcs$377.13117
10 pcs$371.28261

Osa numero:: BLS7G2729LS-350P,1

Valmistaja:: Ampleon USA Inc.

Yksityiskohtainen kuvaus:: RF FET LDMOS 65V 13DB SOT539B.

Valmistajan vakio läpimenoaika:: Varastossa

Kestoaika:: Yksi vuosi

Chip From:: Hongkong

RoHS:

Maksutapa:

Lähetyksen tapa:

Perheluokat:: KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Diodit - sillan tasasuuntaajat, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF, Transistorit - IGBT - Arrays, Tehonohjaimen moduulit, Diodit - Zener - Single, Diodit - Zener - Arrays, Transistorit - JFET and Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - ariat, esij ...

Kilpailuetu:: We specialize in Ampleon USA Inc. BLS7G2729LS-350P,1 electronic components. BLS7G2729LS-350P,1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BLS7G2729LS-350P,1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

GB-T-27922

ISO-9001-2015

ISO-13485

ISO-14001

ISO-28000-2007

ISO-45001-2018

BLS7G2729LS-350P,1 Tuoteominaisuudet

Osa numero : BLS7G2729LS-350P,1

Valmistaja : Ampleon USA Inc.

Kuvaus : RF FET LDMOS 65V 13DB SOT539B

Sarja : -

Osan tila : Not For New Designs

Transistorin tyyppi : LDMOS (Dual), Common Source

Taajuus : 2.7GHz ~ 2.9GHz

Saada : 13dB

Jännite - testi : 32V

Nykyinen arvostelu : -

Melun kuva : -

Virta - testi : 200mA

Teho - lähtö : 350W

Jännite - Nimellinen : 65V

Paketti / asia : SOT539B

Toimittajalaitteen paketti : SOT539B

Saatat myös olla kiinnostunut

MMBFJ310

ON Semiconductor

RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23.
MMBF5484

ON Semiconductor

JFET N-CH 25V 5MA SOT23.
AFM906NT1

NXP USA Inc.

WIDEBAND AIRFAST RF POWER LDMOS.
A2T27S007NT1

NXP USA Inc.

AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO.
AFM907NT1

NXP USA Inc.

RF MOSFET LDMOS 7.5V 10-DFN.
MHT1108NT1

NXP USA Inc.

RF POWER LDMOS TRANSISTOR FOR CO.

Kuumat osat

English Suomi