IXYS - IXTV22N50P

KEY Part #: K6410103

[52kpl varastossa]


    Osa numero:
    IXTV22N50P
    Valmistaja:
    IXYS
    Yksityiskohtainen kuvaus:
    MOSFET N-CH 500V 22A PLUS220.
    Valmistajan vakio läpimenoaika:
    Varastossa
    Kestoaika:
    Yksi vuosi
    Chip From:
    Hongkong
    RoHS:
    Maksutapa:
    Lähetyksen tapa:
    Perheluokat:
    KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Diodit - Zener - Arrays, Transistorit - FETit, MOSFETit - RF, Transistorit - IGBT - moduulit, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF, Diodit - sillan tasasuuntaajat, Transistorit - IGBT - Arrays, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single and Tiristorit - DIAC, SIDAC ...
    Kilpailuetu:
    We specialize in IXYS IXTV22N50P electronic components. IXTV22N50P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTV22N50P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IXTV22N50P Tuoteominaisuudet

    Osa numero : IXTV22N50P
    Valmistaja : IXYS
    Kuvaus : MOSFET N-CH 500V 22A PLUS220
    Sarja : PolarHV™
    Osan tila : Obsolete
    FET-tyyppi : N-Channel
    tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
    Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 500V
    Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 22A (Tc)
    Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 270 mOhm @ 11A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 250µA
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 50nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±30V
    Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 2630pF @ 25V
    FET-ominaisuus : -
    Tehon hajautus (max) : 350W (Tc)
    Käyttölämpötila : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Asennustyyppi : Through Hole
    Toimittajalaitteen paketti : PLUS220
    Paketti / asia : TO-220-3, Short Tab

    Saatat myös olla kiinnostunut
    • VN2222LL-G

      Microchip Technology

      MOSFET N-CH 60V 0.23A TO92-3.

    • ZVN4206AV

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 60V 600MA TO92-3.

    • FDD8586

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 20V 35A DPAK.

    • FDD8580

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 20V 35A DPAK.

    • FCD4N60TF

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK.

    • 2SK2231(TE16R1,NQ)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET N-CH 60V 5A PW-MOLD.