Vishay Semiconductor Diodes Division - BYM10-100-E3/97

KEY Part #: K6455554

BYM10-100-E3/97 Hinnoittelu (USD) [959192kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.04069
  • 5,000 pcs$0.04049
  • 10,000 pcs$0.03788
  • 25,000 pcs$0.03483

Osa numero:
BYM10-100-E3/97
Valmistaja:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Yksityiskohtainen kuvaus:
DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB. Rectifiers 100 Volt 1.0 Amp Glass Passivated
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - FETit, MOSFETit - Arrays, Diodit - Zener - Arrays, Transistorit - IGBT - Yksittäiset, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - yksittäinen, Transistorit - IGBT - moduulit, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF and Tiristorit - TRIACit ...
Kilpailuetu:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BYM10-100-E3/97 electronic components. BYM10-100-E3/97 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BYM10-100-E3/97, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BYM10-100-E3/97 Tuoteominaisuudet

Osa numero : BYM10-100-E3/97
Valmistaja : Vishay Semiconductor Diodes Division
Kuvaus : DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB
Sarja : SUPERECTIFIER®
Osan tila : Active
Diodin tyyppi : Standard
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) : 100V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) : 1A
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If : 1.1V @ 1A
Nopeus : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) : -
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr : 10µA @ 100V
Kapasitanssi @ Vr, F : 8pF @ 4V, 1MHz
Asennustyyppi : Surface Mount
Paketti / asia : DO-213AB, MELF (Glass)
Toimittajalaitteen paketti : DO-213AB
Käyttölämpötila - liitos : -65°C ~ 175°C

Saatat myös olla kiinnostunut
  • C3D04060E

    Cree/Wolfspeed

    DIODE SCHOTTKY 600V 4A TO252-2. Schottky Diodes & Rectifiers SIC SCHOTTKY DIODE 600V, 4A

  • CSD01060E-TR

    Cree/Wolfspeed

    DIODE SCHOTTKY 600V 1A TO252-2. Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 1A, 600V

  • C4D10120E

    Cree/Wolfspeed

    DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO252-2. Schottky Diodes & Rectifiers SIC SCHOTTKY DIODE 1200V, 10A

  • BAS21E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIODE 250V 0.25A

  • BAT64E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SOT23-3. Schottky Diodes & Rectifiers 40V 0.12A

  • MMBD1201

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching High Conductance Ultra Fast