1N4935RLG Hinnoittelu (USD) [2562230kpl varastossa]
- 1 pcs$0.01444
- 5,000 pcs$0.01437
- 10,000 pcs$0.01221
- 25,000 pcs$0.01149
- 50,000 pcs$0.01078
- 125,000 pcs$0.00958
- Osa numero:
- 1N4935RLG
- Valmistaja:
- ON Semiconductor
- Yksityiskohtainen kuvaus:
- DIODE GEN PURP 200V 1A DO41. Rectifiers 200V 1A Fast
- Valmistajan vakio läpimenoaika:
- Varastossa
- Kestoaika:
- Yksi vuosi
- Chip From:
- Hongkong
- RoHS:
- Maksutapa:
-
- Lähetyksen tapa:
- Perheluokat:
- KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Diodit - Zener - Single, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - levyt, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - ariat, esij, Transistorit - JFET, Diodit - Tasasuuntaajat - Tasot, Transistorit - ohjelmoitava Unijunction, Transistorit - IGBT - moduulit and Diodit - Tasasuuntaajat - Yksittäiset ...
- Kilpailuetu:
- We specialize in ON Semiconductor 1N4935RLG electronic components. 1N4935RLG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N4935RLG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
1N4935RLG Tuoteominaisuudet
Osa numero :
1N4935RLG
Valmistaja :
ON Semiconductor
Kuvaus :
DIODE GEN PURP 200V 1A DO41
Sarja :
-
Osan tila :
Active
Diodin tyyppi :
Standard
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) :
200V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) :
1A
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If :
1.2V @ 1A
Nopeus :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) :
300ns
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr :
5µA @ 200V
Kapasitanssi @ Vr, F :
-
Asennustyyppi :
Through Hole
Paketti / asia :
DO-204AL, DO-41, Axial
Toimittajalaitteen paketti :
DO-41
Käyttölämpötila - liitos :
-65°C ~ 150°C
Uusimmat uutiset
Saatat myös olla kiinnostunut
-
MBRD6100CT-TP
Micro Commercial Co
6A100VSCHOTTKYDPAK PACKAGE. Schottky Diodes & Rectifiers 6A SCHOTTKY RECTIFIER
-
VS-50WQ03FN-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 30V 5.5A DPAK. Schottky Diodes & Rectifiers 5.5A 30V Single Die
-
-
GI751-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 6A P600. Rectifiers 6 Amp 100 Volt 400 Amp IFSM
-
GL41M-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB. Rectifiers 1 Amp 1000 Volt 30 Amp IFSM
-
BYM10-800-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB. Rectifiers 800 Volt 1.0 Amp Glass Passivated
Kuumat osat
- MBRB10H50HE3/45
- MBRB16H35-E3/81
- GP10KE-M3/73
- 1N4005-N-0-2-BP
- 1N4003 BK
- IRD3CH31DB6
- SS310HE-TP
- CLL914 BK
- JANTX1N6761UR-1
- GP10-4003E-M3/54
- EGP10F-M3/54
- VS-30WQ06FNTRLPBF
- UH1B-E3/61T
- MBRF7H60HE3/45
- RGP15DHE3/54
- RB420D-TP
- VS-90SQ045TR
- DGP20HE3/54
- 1N5622GP-E3/73
- U1GWJ49(TE12L,F)
- STTH3R04
- 2A02-T
- STTH10R04G
- FFPF04U150STU
- VS-20L15TPBF
- MBR2515L
- MBR845RL
- B280-13
- 60CPF10
- 40EPS08
- MA3X72100L
- MA2J11600L
- DL4001
- IDD15E60BUMA1
- 2A01-TP
- IDW30E60AFKSA1
- RGP02-14E-E3/73
- HS5M M6G
- GL41DHE3/97
- SE15PD-M3/85A