ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS43DR16320D-25DBI-TR

KEY Part #: K936914

IS43DR16320D-25DBI-TR Hinnoittelu (USD) [15374kpl varastossa]

  • 1 pcs$3.32344
  • 2,500 pcs$3.30690

Osa numero:
IS43DR16320D-25DBI-TR
Valmistaja:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Yksityiskohtainen kuvaus:
IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA. DRAM 512M, 1.8V, 400Mhz 32M x 16 DDR2
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Liitäntä - modeemit - IC: t ja moduulit, PMIC - Nykyinen sääntely / hallinta, Logiikka - signaalikytkimet, multiplekserit, dekoo, Liitäntä - enkooderit, dekooderit, muuntimet, PMIC - Hot Swap -ohjaimet, PMIC - Jännitteensäätimet - erityistarkoitus, PMIC - Moottoriajurit, ohjaimet and PMIC - Power Over Ethernet (PoE) -ohjaimet ...
Kilpailuetu:
We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16320D-25DBI-TR electronic components. IS43DR16320D-25DBI-TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS43DR16320D-25DBI-TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS43DR16320D-25DBI-TR Tuoteominaisuudet

Osa numero : IS43DR16320D-25DBI-TR
Valmistaja : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Kuvaus : IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA
Sarja : -
Osan tila : Active
Muistityyppi : Volatile
Muistimuoto : DRAM
tekniikka : SDRAM - DDR2
Muistin koko : 512Mb (32M x 16)
Kellotaajuus : 400MHz
Kirjoita työkierron aika - sana, sivu : 15ns
Kirjautumisaika : 400ps
Muistiliitäntä : Parallel
Jännite - syöttö : 1.7V ~ 1.9V
Käyttölämpötila : -40°C ~ 85°C (TA)
Asennustyyppi : Surface Mount
Paketti / asia : 84-TFBGA
Toimittajalaitteen paketti : 84-TWBGA (8x12.5)

Uusimmat uutiset

Saatat myös olla kiinnostunut
  • 71V30S55TFG8

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 8K PARALLEL 64TQFP. SRAM 1Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V DUAL-PORT RAM

  • AT28C256E-15SU

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 256K HI-ENDURANCE SDP- 150NS IND TEMP

  • AT28HC256E-12SU-T

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 120NS, SOIC, IND TEMP, GREEN

  • 71V25761S183PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 128Kx36 SYNC 3.3V PIPELINED BURST SRAM

  • W29N04GZBIBA

    Winbond Electronics

    IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash 4G-bit NAND flash, 1.8V, 4-bit ECC, 1.8V, x8

  • W29N04GWBIBA

    Winbond Electronics

    IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash 4G-bit NAND flash, 1.8V, 4-bit ECC, 1.8V, x16