Ampleon USA Inc. - BLM8G0710S-60PBY

KEY Part #: K6466645

BLM8G0710S-60PBY Hinnoittelu (USD) [2331kpl varastossa]

1 pcs$22.05174
100 pcs$21.94203

Osa numero:: BLM8G0710S-60PBY

Valmistaja:: Ampleon USA Inc.

Yksityiskohtainen kuvaus:: RF FET LDMOS 65V 36.2DB SOT12112.

Valmistajan vakio läpimenoaika:: Varastossa

Kestoaika:: Yksi vuosi

Chip From:: Hongkong

RoHS:

Maksutapa:

Lähetyksen tapa:

Perheluokat:: KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Tiristorit - SCR: t, Transistorit - FETit, MOSFETit - Single, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - levyt, Tiristorit - DIAC, SIDAC, Diodit - Tasasuuntaajat - Yksittäiset, Tehonohjaimen moduulit, Transistorit - JFET and Transistorit - FETit, MOSFETit - RF ...

Kilpailuetu:: We specialize in Ampleon USA Inc. BLM8G0710S-60PBY electronic components. BLM8G0710S-60PBY can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BLM8G0710S-60PBY, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

GB-T-27922

ISO-9001-2015

ISO-13485

ISO-14001

ISO-28000-2007

ISO-45001-2018

BLM8G0710S-60PBY Tuoteominaisuudet

Osa numero : BLM8G0710S-60PBY

Valmistaja : Ampleon USA Inc.

Kuvaus : RF FET LDMOS 65V 36.2DB SOT12112

Sarja : -

Osan tila : Active

Transistorin tyyppi : LDMOS (Dual)

Taajuus : 957.5MHz

Saada : 36.2dB

Jännite - testi : 28V

Nykyinen arvostelu : -

Melun kuva : -

Virta - testi : 60mA

Teho - lähtö : 6W

Jännite - Nimellinen : 65V

Paketti / asia : SOT-1211-2

Toimittajalaitteen paketti : 16-HSOPF

Saatat myös olla kiinnostunut

NPTB00004A

M/A-Com Technology Solutions

HEMT N-CH 28V 5W DC-6GHZ 8SOIC.
RFM12U7X(TE12L,Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

MOSFET N-CH PW-X.
RFM08U9X(TE12L,Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

MOSFET N-CH PW-X.
PD55025S-E

STMicroelectronics

FET RF 40V 500MHZ PWRSO10.
PD57006S-E

STMicroelectronics

FET RF 65V 945MHZ PWRSO-10.
PD57030S-E

STMicroelectronics

FET RF 65V 945MHZ PWRSO10.