Osa numero :
IPC218N06N3X1SA2
Valmistaja :
Infineon Technologies
Kuvaus :
MOSFET N-CH 60V 3A SAWN ON FOIL
tekniikka :
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) :
60V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C :
3A (Tj)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
100 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 196µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Asennustyyppi :
Surface Mount
Toimittajalaitteen paketti :
Sawn on foil