Kuvaus :
GANFET TRANS 60V 1A BUMPED DIE
tekniikka :
GaNFET (Gallium Nitride)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) :
60V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C :
1A (Ta)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) :
5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
45 mOhm @ 1A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 800µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
1.15nC @ 5V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds :
115pF @ 30V
Käyttölämpötila :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi :
Surface Mount
Toimittajalaitteen paketti :
Die