Jos sijaintiasi ei ole luettelossa, valitse yksi seuraavista:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Jos sijaintiasi ei ole luettelossa, valitse yksi seuraavista:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Koti
  2. Tuotteet
  3. Integroidut piirit (IC)
  4. Muisti
  5. MT53D512M64D4SB-046 XT ES:E TR

Micron Technology Inc. - MT53D512M64D4SB-046 XT ES:E TR

KEY Part #: K920696

[1914kpl varastossa]

    Osa numero:
    MT53D512M64D4SB-046 XT ES:E TR
    Valmistaja:
    Micron Technology Inc.
    Yksityiskohtainen kuvaus:
    IC DRAM 32G 2133MHZ FBGA. DRAM LPDDR4 32G 512MX64 FBGA QDP
    Valmistajan vakio läpimenoaika:
    Varastossa
    Kestoaika:
    Yksi vuosi
    Chip From:
    Hongkong
    RoHS:
    Maksutapa:
    Lähetyksen tapa:
    Perheluokat:
    KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Liitäntä - anturi, kapasitiivinen kosketus, Sulautetut - DSP (digitaaliset signaaliprosessorit, Liitäntä - Signaaliterminaattorit, Tietojen hankinta - digitaaliset ja analogiset muu, PMIC - Jännitteensäätimet - erityistarkoitus, PMIC - Power Management - erikoistunut, Lineaariset vahvistimet - Videon vahvistimet ja mo and Sulautettu - sirujärjestelmä (SoC) ...
    Kilpailuetu:
    We specialize in Micron Technology Inc. MT53D512M64D4SB-046 XT ES:E TR electronic components. MT53D512M64D4SB-046 XT ES:E TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MT53D512M64D4SB-046 XT ES:E TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    MT53D512M64D4SB-046 XT ES:E TR Tuoteominaisuudet

    Osa numero : MT53D512M64D4SB-046 XT ES:E TR
    Valmistaja : Micron Technology Inc.
    Kuvaus : IC DRAM 32G 2133MHZ FBGA
    Sarja : -
    Osan tila : Active
    Muistityyppi : Volatile
    Muistimuoto : DRAM
    tekniikka : SDRAM - Mobile LPDDR4
    Muistin koko : 32Gb (512M x 64)
    Kellotaajuus : 2133MHz
    Kirjoita työkierron aika - sana, sivu : -
    Kirjautumisaika : -
    Muistiliitäntä : -
    Jännite - syöttö : 1.1V
    Käyttölämpötila : -30°C ~ 105°C (TC)
    Asennustyyppi : -
    Paketti / asia : -
    Toimittajalaitteen paketti : -

    Uusimmat uutiset

    Micron 5210 ION Enterprise SATA QLC SSDs
    Micron 9200 NVMe™ SSDs
    Micron SLC NAND Flash Memory
    Micron 9300 NVMe™ SSD
    Micron NAND-Based MCP
    Micron NAND Flash
    Micron LPDRAM
    Saatat myös olla kiinnostunut
    • 7130LA25TFGI

      IDT, Integrated Device Technology Inc

      IC SRAM 8K PARALLEL 64TQFP. SRAM 1K x 8 Dual Port High Speed RAM

    • IS61NVF51236-6.5TQL-TR

      ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

      IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP. SRAM 18Mb (512Kx36) 6.5ns Sync SRAM 2.5v

    • IS61NVF51236-6.5TQL

      ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

      IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP. SRAM 18Mb (512Kx36) 6.5ns Sync SRAM 2.5v

    • S34ML04G104BHV010

      Cypress Semiconductor Corp

      IC FLASH 4G PARALLEL 63BGA. NAND Flash Nand

    • IS46LR32160B-6BLA2-TR

      ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

      IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 512M (16Mx32) Mobile DDR 1.8v

    • IS42S16800F-7B

      ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

      IC DRAM 128M PARALLEL 143MHZ.

    Kuumat osat