Taiwan Semiconductor Corporation - ES1BLHRVG

KEY Part #: K6437557

ES1BLHRVG Hinnoittelu (USD) [1305982kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.02832

Osa numero:
ES1BLHRVG
Valmistaja:
Taiwan Semiconductor Corporation
Yksityiskohtainen kuvaus:
DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - levyt, Transistorit - FETit, MOSFETit - Arrays, Transistorit - FETit, MOSFETit - Single, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF, Diodit - Tasasuuntaajat - Tasot, Diodit - sillan tasasuuntaajat, Transistorit - IGBT - moduulit and Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single ...
Kilpailuetu:
We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation ES1BLHRVG electronic components. ES1BLHRVG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ES1BLHRVG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ES1BLHRVG Tuoteominaisuudet

Osa numero : ES1BLHRVG
Valmistaja : Taiwan Semiconductor Corporation
Kuvaus : DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA
Sarja : Automotive, AEC-Q101
Osan tila : Active
Diodin tyyppi : Standard
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) : 100V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) : 1A
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If : 950mV @ 1A
Nopeus : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) : 35ns
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr : 5µA @ 100V
Kapasitanssi @ Vr, F : 10pF @ 4V, 1MHz
Asennustyyppi : Surface Mount
Paketti / asia : DO-219AB
Toimittajalaitteen paketti : Sub SMA
Käyttölämpötila - liitos : -55°C ~ 150°C

Saatat myös olla kiinnostunut
  • GL34G/1

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213.

  • GL34D/1

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213.

  • NSB8MT-E3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB. Rectifiers 1000 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM

  • NSB8JT-E3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB. Rectifiers RECOMMENDED ALT 625-NSB8JT-E3

  • MBRB10H100-E3/45

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO263AB. Schottky Diodes & Rectifiers 100 Volt 10A Single 250 Amp IFSM

  • NSB8AT-E3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB. Rectifiers 50 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM