EPC - EPC2101ENGRT

KEY Part #: K6523299

EPC2101ENGRT Hinnoittelu (USD) [19588kpl varastossa]

1 pcs$2.32586
500 pcs$2.31429

Osa numero:: EPC2101ENGRT

Valmistaja:: EPC

Yksityiskohtainen kuvaus:: GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID.

Valmistajan vakio läpimenoaika:: Varastossa

Kestoaika:: Yksi vuosi

Chip From:: Hongkong

RoHS:

Maksutapa:

Lähetyksen tapa:

Perheluokat:: KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - levyt, Tehonohjaimen moduulit, Diodit - RF, Diodit - sillan tasasuuntaajat, Transistorit - JFET, Transistorit - IGBT - Yksittäiset, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - ariat, esij and Transistorit - FETit, MOSFETit - Single ...

Kilpailuetu:: We specialize in EPC EPC2101ENGRT electronic components. EPC2101ENGRT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EPC2101ENGRT, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

GB-T-27922

ISO-9001-2015

ISO-13485

ISO-14001

ISO-28000-2007

ISO-45001-2018

EPC2101ENGRT Tuoteominaisuudet

Osa numero : EPC2101ENGRT

Valmistaja : EPC

Kuvaus : GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID

Sarja : eGaN®

Osan tila : Active

FET-tyyppi : 2 N-Channel (Half Bridge)

FET-ominaisuus : GaNFET (Gallium Nitride)

Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 60V

Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 9.5A, 38A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 11.5 mOhm @ 20A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 2mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 2.7nC @ 5V

Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 300pF @ 30V

Teho - Max : -

Käyttölämpötila : -40°C ~ 150°C (TJ)

Asennustyyppi : Surface Mount

Paketti / asia : Die

Toimittajalaitteen paketti : Die

Saatat myös olla kiinnostunut

SI1539DDL-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N/P-CH 30V SC70-6.
SM6K2T110

Rohm Semiconductor

MOSFET 2N-CH 60V 0.2A SOT-457.
ZXMC3AMCTA

Diodes Incorporated

MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8DFN.
AO8804L

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

MOSFET 2N-CH 20V.
SI4288DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET 2N-CH 40V 9.2A 8SO.
SH8K32TB1

Rohm Semiconductor

MOSFET 2N-CH 60V 4.5A SOP8.