Rohm Semiconductor - RF071M2STR

KEY Part #: K6458073

RF071M2STR Hinnoittelu (USD) [856265kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.04760
  • 3,000 pcs$0.04736

Osa numero:
RF071M2STR
Valmistaja:
Rohm Semiconductor
Yksityiskohtainen kuvaus:
DIODE GEN PURP 200V 700MA PMDU. Rectifiers FAST 200V 1A
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - levyt, Transistorit - JFET, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - yksittäinen, Diodit - vaihtelevat kapasitanssi (varikapsit, var, Transistorit - IGBT - moduulit, Transistorit - FETit, MOSFETit - Arrays, Tiristorit - SCR-moduulit and Diodit - RF ...
Kilpailuetu:
We specialize in Rohm Semiconductor RF071M2STR electronic components. RF071M2STR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RF071M2STR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RF071M2STR Tuoteominaisuudet

Osa numero : RF071M2STR
Valmistaja : Rohm Semiconductor
Kuvaus : DIODE GEN PURP 200V 700MA PMDU
Sarja : -
Osan tila : Not For New Designs
Diodin tyyppi : Standard
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) : 200V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) : 700mA
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If : 850mV @ 700mA
Nopeus : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) : 25ns
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr : 10µA @ 200V
Kapasitanssi @ Vr, F : -
Asennustyyppi : Surface Mount
Paketti / asia : SOD-123F
Toimittajalaitteen paketti : PMDU
Käyttölämpötila - liitos : 150°C (Max)

Saatat myös olla kiinnostunut
  • BYM07-400-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Rectifiers 400 Volt 0.5A 50ns Glass Passivated

  • EGL34G-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Rectifiers 0.5Amp 400 Volt 50ns

  • GL34B-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Rectifiers 100 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM

  • GL34G-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Rectifiers 400 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM

  • GL34D-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213. Rectifiers 200 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM

  • GL34J-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 500MA DO213. Rectifiers 600 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM