Osa numero :
TPCF8A01(TE85L)
Valmistaja :
Toshiba Semiconductor and Storage
Kuvaus :
MOSFET N-CH 20V 3A VS-8
tekniikka :
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) :
20V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C :
3A (Ta)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) :
2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
49 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.2V @ 200µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
7.5nC @ 5V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds :
590pF @ 10V
FET-ominaisuus :
Schottky Diode (Isolated)
Tehon hajautus (max) :
330mW (Ta)
Käyttölämpötila :
150°C (TJ)
Asennustyyppi :
Surface Mount
Toimittajalaitteen paketti :
VS-8 (2.9x1.5)
Paketti / asia :
8-SMD, Flat Lead